模拟电子技术与实训 教学课件 ppt 作者 罗厚军第1章　半导体器件最新.pptVIP

常用的半导体材料有硅和锗，硅原子和锗原子的电子数分别是14和32，所以它们最外层的电子都是四个，是四价元素。它们的原子结构简化模型如图1-1所示。 1.1　半导体基础知识 扩散的结果是在N区留下带正电的离子，而P区留下带负电的离子，它们集中在交界面两侧形成一个很薄的空间电荷区，也就是PN结，如图1-6b所示。在这个区域内自由电子和空穴成对消失而复合，它们相互耗尽了，没有载流子，空间电荷区又称为耗尽层。 1.2　二极管 2.反向击穿电压UBR 反向击穿电压UBR是指二极管反向击穿时的电压值。当温度升高时，二极管反向击穿电压值UBR会有所下降。 3.最高反向工作电压URM 最高反向工作电压URM是指确保二极管安全使用时所允许的最大反向电压，一般手册上给的最高反向工作电压URM约为反向击穿电压UBR的一半。 4.反向电流IR(反向饱和电流IS) 反向电流IR（又称为反向饱和电流IS）是指在室温和规定的反向工作电压下（管子未击穿时）的反向电流。此值越小，说明二极管的单向导电性越好。 1.2　二极管 图b中,VS1、VS2串联在电路中，两个稳压管均正向连接而导通，因此输出电压为UO=0.7V+0.7V=1.4V。 图c中,VS1、VS2并联反向连接与电路中，当稳压管VS1处于稳压状态时，稳压管V