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第一章 电性能 1.1 金属的导电性 一、表征参数 电阻R（Ω）、电阻率ρ（ Ωm）、导电率σ（S/m） 电阻温度系数：α 相对电导率(IACS): Intenational Annealing Copper Standard) 把国际标准退火铜在20℃时的电导率（电阻率为0.017241 Ωmm2/m)作为100%，其他材料与此导电率的比值（百分数） 导体： ρ：10-8~10-4 Ω m 半导体： ρ：10-4~10+7 Ω m 绝缘体：ρ：10+8~10+18 Ω m 二、金属导电理论 1、经典电子理论 假设：金属晶体中原子失去价电子成为正离子，正离子构成晶体点阵，价电子成为公有化电子，电子间无相互作用。自由电子与正离子间的作用仅类似于机械碰撞；无外场作用时，自由电子沿各向运动的机率相同，不产生电流；施加外电场后电子获得加速度，发生定向迁移，从而产生电流。 2、量子理论 假设：在金属中点阵所产生的势场各处均匀，即离子与价电子没有相互作用，且价电子为整个金属所共有，但明确指出：金属中每个原子的内层电子基本保持着单个原子时的能量状态，所有价电子按量子化规律具有不同能量状态，即具有不同能级（对称、连续能级） 3.能带理论 主要观点：金属正离子形成的电场是周期性变化的电场，因而对电子的运动产生了影响（电子在接近正离子时其势能降低、离开时势能要升高，因此电子的运动并不完全自由），其结果是形成能带，即自由电子的准连续能级，被一系列不允许电子占有的能隙所隔开。能带的结构与价电子数、禁带的宽窄及允带的空能级有关（P19，图1.10）。 空能级：允带中电子未排满的能级，其中的电子运动自由，在外电场作用下参与导电（导带） 禁带：k=+nπ/a 是电子不能占有的能级 1.2 电阻的影响因素 由于晶体点阵的不完整性是引起电子散射的根本原因，因此温度、形变与合金化均会影响金属的导电性能。 一、外界条件：温度、应力（环境因素） 1、温度 （1）一般规律：金属电阻率随温度的升高而增大，温度对有效电子数（nef)和电子平均速度几乎没有影响，因为在熔点以下其费米能和费米分布受温度的影响很小，但温度升高，会使离子振动加剧，热振动幅度加大，原子无序度增加，周期性势场的涨落加大，从而使电子运动的自由程减小，散射几率增大而导致电阻率增大。 分段函数： 当θD T2K, ρ∝T5 当T≈2K, ρ∝T2，原因：低温下电子的散射主要是电子与电子间相互作用，而不是离子与电子间的交互作用 当T→0, ρ →0，超导（Pb\Sn\Hg) 原因：电子与声子间相互作用，产生的电子对不被晶体散射 （3）铁磁金属与磁性转变 在居里点附近时，铁磁金属的电阻率随温度的变化偏离线性关系： 反常降低量Δρ=αMs2 原因：铁磁性金属内d层与外层s壳层电子云交互作用引起 （4）熔化 大多数金属熔化成液态时，电阻率会突然增大约1~2倍，这是由于原子长程有序排列遭到破坏，从而加强了对电子的散射所引起，但Bi、Sb、Ga等在熔化时电阻率反而下降，这是由于该类元素在固态时为层状结构，具有小的配位数，主要为共价键型晶体结构，在熔化时共价键被破坏，转以金属键为主，故电阻率下降（可见书p39:图2.4） 2、应力 在弹性范围内的单向拉应力，使原子间距离增大，点阵动畸变增大，由此导致金属电阻率增大 αT—应力系数， αT 0，σ为拉应力 在压应力作用下，使原子间距变小，点阵动畸变减小，传导电子和声子之间相互作用的变化，电子结构以及电子间相互作用发生改变，金属的费米面和能带结构发生变化，由此导致金属电阻率下降 αT—应力系数， Ф0，p为压应力 正常金属：随压应力增大，金属的电阻率单调下降，例如：Fe、Ni、Co、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zr、Hf（电阻率压力系数0) 反常金属：随压应力增大，金属的电阻率增大，电阻率压力系数0 ，（甚至可改变符号），例如：碱金属、碱土金属和稀土金属，Ca、Sr、Sb、Bi 极高的的压应力甚至可导致物质的金属化——使许多物质由半导体和绝缘体变为导体，甚至超导体 二、组织结构的影响：组织结构与塑性变形、热处理工艺有关 1、塑性形变 形变使金属电阻率增大，这是由于晶体点阵畸变和晶体缺陷的增加，造成点阵电场的不均匀性增强而加剧对电子波散射的结果；此外冷塑性变形使原子间距有所改变，也对电阻率有一定影响。（大多数金属电阻率增大2~6%） Δρ基本与温度无关，只受加工程度的影响 对单晶铜A=0.01μΩ cm，p=2，对多晶铜A