电力电子技术 教学课件 作者 高文华 《电力电子技术》模拟试卷（B）答案（2005）.docVIP

《电力电子技术》B卷答案 是非题： 1（╳）、 2（√）、 3（╳）、 4（√）、 5（√）、 6（√）、 7（√）、 8（√）、9（╳）、 10（╳）、 11（√）、 12（√）、 13（√）、 14（√）、 15（√） 判断题： D 、 2 C 、 3 B 、 4 B 、 5 B 、 6 A 、 7 C 、 8 C 、9 D 、 10 D 、 11 D 、 12 A 、 13 D 、 14 D 、 15 C 、16 B 、 17 C 、 18 B 、 19 B 、 20 A 、 三、简答题： 1、答：结缘栅双极型晶体管（IGBT）是一种由单极性的MOSFET和双极型晶体管复合而成的器件。它兼有MOSFET和GTR二者的优点，属于电压型驱动器件。其特点是：输入阻抗高，驱动功率小；工作频率高，导通压降低，功耗小。IGBT是一种很有发展前途的新型电力半导体器件，在中、小容量的电力电子应用方面大有取代其它全控型器件的趋势 2、答：电力场效应管（MOSFET）是一种单极型大功率晶体管，属于电压控制型器件。其主要优点是基本上无二次击穿现象，驱动功率小，开关频率高，输入阻抗大，易于并联和保护。缺点是导通压降较大，限制了其电流容量的提高。 3、答：双向晶闸管的额定电流与普通晶闸管不同，是以最大允许有效电流