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微传感器的工作原理;Agenda;微传感器的概念;微传感器的概念;微传感器的技术指标:
量程:测量范围上限值和下限值的代数差。
灵敏度:传感器的在稳态下输出变化对输入变化的比值
线性度:传感器输出与输入之间的线性程度。
分辨率:指在规定测量范围内可能检测出的被测量的最
小变化量。
重复性:传感器在输入量按同一方向作全量程多次测试
时所得特性曲线不一致程度。
频响范围:在规定误差条件下,传感器可以正常工作
的频率区间。;例:某微加速度传感器的指标;微传感器的分类;微传感器的分类;微传感器的敏感原理;;
1)金属电阻的改变主要由材料几何尺寸的变化引起,因此 起主要作用;
2)半导体电阻的改变主要由材料受力后电阻率的变化引起,因此 起主要作用;
3)半导体的灵敏度因子比金属的高得多,一般在70-170之间。; 在正交坐标系中,沿任一晶向分布的压敏电阻,电阻的变化率与应力的关系为;主晶轴坐标系下的纵向、横向及剪切压阻系数 ;压阻式传感器输出信号的检测一般需要采用惠斯通电桥;电容式微传感器的基本结构 ;间隙变化型:改变两极板间隙δ
面积变化型:改变形成电容的有效面积A
介质变化型:改变两极间介质的介电常数ε;间隙变化型电容式微传感器;略除高阶无穷小项,得;采用差动电容结构可以大大减小传感器输出的非线性:;(3)隧道电流敏感原理 ; 为直流驱动电压,单位为V; 为隧道电流,单
位为A; 为常数,等于 ; 为有效隧
道势垒高度,单位为eV; 为隧道电极间距,单位为nm。在标准情况下(0.5 eV,1nm),隧道电极间距 变化0.1nm时,隧道电流 改变2倍。利用这个原理,可以设计各种微传感器。; : 隧道电流,单位为A;
: 直流驱动电压,单位为V;
: 常数,等于 ;
: 有效隧道势垒高度,单位为eV;
: 隧道电极间距,单位为nm。
在标准情况下(0.5eV,1nm),隧道电极间距d 变化0.1nm时,隧道电流 改变2倍。利用这个原理,可以设计各种微传感器。; 隧道电流式微传感器是一种高灵敏度的微传感器,具有噪声小、温度系数小以及动态性能好等特点。;(4)压电敏感原理;(4)压电敏感原理;压电材料的特性常常用电荷灵敏度系数来表示
电荷灵敏度系数:沿i轴在材料表面产生的电荷与沿j轴所加的力F的关系;(5)谐振式敏感原理; Howe[1987]提出了一个分析承受纵向力的振动梁在模态1时的固有频率的理论 ;y(x,t)满足;(5)谐振式敏感原理;(6)热对流式敏感原理;传感器
类型;各种敏感原理的优缺点;微传感器的实例(1)——力学;;;压敏电阻;梁
;
单悬臂梁微加速度计;;电容式;1) 平行板电容式微加速度计 ;2) 梳状电容式微加速度计 ; 梳状结构的电容式微加速度计一般采用叉指结构,属于硅材料线加速度计,其结构加工工艺与集成电路加工工艺兼容性好,可以将敏感元件和信号调理电路用相同的工艺在同一硅片上完成,实现整体集成。 ;隧道电流式 ;检测质量电极;压电式微加速度计 ;输出;微陀螺仪;线振动(音叉式)微陀螺仪 ;角振动式微陀螺仪 ;微压力传感器;压阻式;氮化硅;电容式;东京大学接触电容式压力传感器 ;谐振式;微型麦克风 ;;微传感器的实例(2)——光学;当入射光光子的能量大于被照射材料的逸出功时,就有光电子发射,称为外光电效应。
利用这种效应制成的传感器有真空光电管、光电倍增管等。;利用半导体光电导效应可制成光敏电阻
其基本原理是辐射时半导体材料中的电荷载流子(包括电子和空穴)的增殖使其电阻率发生变化。;如图所示,当透光性较强的半导体基体A接受光子能量后,两光敏电阻的连接处可产生电势。产生的电势可以通过电桥电路中电阻的改变测量出来。;一种特殊的材料,当有光照时其自身电阻会发生变化。 ;图中的光电二极管由p型和n型掺杂的半导体层组成; 图中的光电子管由p-、n-和p-掺杂层组成。入射的光子能量可以被转换成从这些器件中输出的电流。; 热电偶是测量热的最常用的传感器
工作原理:依靠两个不同金属线的末端产生的电动势,此电动势在两个导线的交节点(称为节点)被加热的情况下产生。;热电偶; 在热电偶电路中另外加一个节点,并且使其温度不同于其他节点的温度,这样就可以从电路中引入一个温度梯度。;热电偶原理微温度传感器的一个严重缺点:输出信号随着线和节点的尺寸的减小而降低。
微热电堆是小型化热传感更理想的解决方案。;Choi和Wise在1986年研制的微热电堆;热双层片传感器
对于传感和执行而言,热双
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