复旦微电子-模拟集成电路设计-带隙基准.pptVIP

带隙基准 改进的电流源 与电源无关的偏置 带隙基准 正温度系数 负温度系数 PTAT电流源的产生 实例分析 改进的电流源 * 问题的提出： 对简单的电流镜电路，考虑沟道长度调制效应后，引入了电流的复制误差。误差由有限的输出阻抗决定。 方法：提高输出阻抗。 例： 改进的电流源 带源极电阻的电流镜 考虑衬偏效应： 例： 改进的电流源 共源共栅电流镜 令： 因为衬偏效应相同， 则： 设计： 输出阻抗增加： 改进的电流源 相同的摆幅问题： 例： 改进的电流源 威尔逊电流源： 通过反馈使输出阻抗增加 改进的电流源 利用增益提升技术： 例： mirror A (Sackinger 1990) 改进的电流源 mirror B (Martin 1994) 改进的电流源 大摆幅电流源： 若M3和M2在饱和区，则 取： 近似地： 例如，取 显然，摆幅可以增加。 改进的电流源 注意M5的栅极偏置电压： 同时： 是可以保证的 上述偏置使M2和M3处在饱和与线性区的边缘 若： 则，M5栅极电压足够使M3和M2处在饱和与区 若： 使 可保证M3和M2处在饱和区。 另外： M1和M4 比M2和M3的漏源电压大。设计的沟道长度大 偏置电路 简单的偏置电路和Vdd相关连： 以第一幅图为例： 偏置电路 偏置稳定的思路：使Iout反馈至Iref。若Iout和VDD无关，则， Iref和VDD无关。 如图，采用威尔逊电流源 电流满足： 电流是任意的，必须加入约束 偏置电路 电流和电源无关，和电阻有关。 当沟道长度效应很小时，电流和电源的依赖性很小。 电路有另一个稳定点： 必须加启动电路。 电路在上电时，启动电路驱动偏置电路摆脱“简并”偏置点 如图：M3-M5-M2-Rs提供了一条电源 到地的通路，使M2和M3工作。 M2和M3导通后， M5被关断，不影响偏置电路的正常工作 偏置电路 例：分析启动电路 上电时，M5、M6 off M5 on 导致电路脱离简并点。 M6 导通使X点的电压下降，最终 使M5关断。 分析关键点： 使M5 off 在复杂的电路中，可能有多个简并点，需要仔细分析。 偏置电路 和大摆幅电流镜结合，可以有效减小由于有限输出阻抗引起 的误差，同时不影响信号的摆幅。提供共源共栅电路的偏置 偏置电路 Q1~Q4 是共源共栅NMOS电流镜，Q5提供二极管偏置。 Q6~Q9 是共源共栅PMOS电流镜，Q14提供二极管偏置。 Q5的电流由共源共栅偏置回路Q10、Q11提供，同样， Q14的电流由共源共栅偏置回路Q12、Q13提供。 启动电路 Q15-Q18： bias loop off , Ii = 0, Q17 off, Q18 on VG5=VG6 ?, Q15, Q16 ON Q6~Q9 ON→Q10-Q11 ON→Q5 ON →Q1-Q4 ON When bias loop on , Q17 ON VG5=VG6 ?, Q15, Q16 OFF 电路中的回路：偏置正反馈回路、启动回路、 二个偏置（共源共栅）回路 带隙基准 概念：与温度无关的电压或电流基准电路 因为大多数参数（工艺参数）和温度有关。 因此，和温度无关，即和工艺无关。 思路：将两个具有正温度系数和负温度系数的量加权相加， 则，得到的量显示零温度系数。 负温度系数： PN结二极管的基极-发射极正向电压，具有负温度系数。 正温度系数： 不同电流密度下的二个PN结二极管的基极-发射极正向电压之差，具有正温度系数。 带隙基准：实现上述二者的加权相加。 带隙基准 负温度系数 当 带隙基准 正温度系数 Q1、Q2相同： 具有正温度系数。 通过调节Q1、Q2面积改变电流密度 带隙基准 带隙基准 令： 带隙基准 带隙基准电路 流过Q1、Q2的电流相等。 但Q2的面积大，因此电流密度小 零温度系数时， 可选择， 设计时，必须考虑PNP晶体管的匹配性，例如，选择n=8 带隙基准 Ic随温度的变化（在具体电路中，可求Ic的表达式） 和原公式相比，多了一项 绝对值比 略小 设计时精确地模拟，设计温度比室温高，例如： 带隙基准 与CMOS工艺的兼容性 在CMOS工艺中，PMOS晶 体管容易实现。 如图是N阱中的PMOS纵向管 一般情况下， PMOS晶体管采 用N阱中的横向管，版图结构 如下： 带隙基准 运算放大器的失调 考虑运放的失调电压Vos，则，x和y 结点的电压有偏差。 若假设： Vos对输出电压的影响：失调被放大了，输出电压的