ZnSe薄膜的化学反应辅助热壁外延法生长及特性研究-NSFC.pdf

维普资讯 第 36卷 第 1期 人 工 晶 体 学 报 V01．36No．1 20o7年 2月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS February．20o7 ZnSe薄膜的化学反应辅助热壁外延法生长及特性研究 白大伟，李焕勇，介万奇，李培森，赵海涛 (西北工业大学材料科学与I程学院，西安 710072) 摘要：本文通过将新型化学气相反应促进剂Zn(NH )，C1，引入到热壁外延系统中，以二元素单质zn和Se为原料 ， 直接在si(1l1)衬底上生长了高质量的ZnSe晶体薄膜，薄膜成分接近理想化学计量比。研究了主要工艺参数对薄 膜生长形貌和性能的影响。采用SEM、AFM、EDS和PL谱技术研究了生长的ZnSe薄膜的形貌、成分和发光特性。 研究结果表明，热壁温度和生长时间是影响ZnSe薄膜形貌的主要因素 ；气相反应促进剂在薄膜生长和调节成分方 面扮演了关键角色，zn(NH )，Cl，的存在使得 zn(g)和Se：(g)合成ZnSe晶体的反应转变为气固非一致反应 ，从而 更容易获得近乎理想化学计量比的ZnSe薄膜。znSe薄膜在氦镉激光激发下 ，室温下 PL谱 由近带边发射和 ( 一 0 )组合的SA发光组成 ，而在飞秒激光激发下 ，仅在481nm处显示出强烈的双光子发射峰。 关键词：II—VI族化合物 ；ZnSe薄膜 ；化学促进热壁外延法 中图分类号-0484 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(2007)01-．0057-05 GrowthandCharacterizationsofZnSeFilm by ChemicalActivatedHotW allExpitaxy BAIDa—wei，LIHuan-yong，JIE Wan—qi，LIPei—sen，ZHAOHai—tao (CollegeofMaterialsScienceandEngineering，Northwestern PolytechnicalUniversity，Xi’an710072，China) (Received30October2006) Abstract：A modified chemicalactivatedhotwallexpitaxymethodwasused togrow ZnSe filmson Si (111)substratesusingZnandSesources．ThecompoundZn(NH4)3C15，asthechemical activated agent，WaSrevealed topromotethegrowth ofZnSewiht htestoichiometriccompositionby avoidingthe kineticslimitationofhtecongruentsublimationconditions．Th eZnSefilmswerecharacterizedbySEM ， EDSnad PL spectra forhteirmorphologies，composition nad luminescence properties．Th e results indicatehtathtechemicalactivatedhotwallexpitaxymehtodisasatisfactorywaytogrowZnSefilms．Th e hotwalltemperatureandhtedeposition timewerehtekeyfactorsto influencehtemoprholo