第5章 磁电式传感器.pptVIP

总结 1）磁电感应式传感器应用电磁感应现象 2）只适用于动态测量 3）直接测量的量是振动体的速度或旋转体的角速度 4）测量电路中接入积分电路或微分电路，则可以测量物体的位移或加速度 2）动态特性 二阶动态模型 Xm—质量块的绝对位移 X0—振动体的绝对位移 Xi= Xm- X0—相对位移 磁电式扭矩传感器 图5-7是磁电式扭矩传感器的工作原理图。在驱动源和负载之间的扭转轴的两侧安装有齿形圆盘。它们旁边装有相应的两个磁电传感器。磁电传感器的结构见图5-8所示。当齿形圆盘旋转时，圆盘齿凸凹引起磁路气隙的变化，于是磁通量也发生变化，在线圈中感应出交流电压， 其频率在数值上等于圆盘上齿数与转数的乘积。 图5-7 磁电式扭矩传感器工作原理图 图5-8 磁电式传感器结构图 当扭矩作用在扭转轴上时，两个磁电传感器输出的感应电压u1和u2存在相位差。 这个相位差与扭转轴的扭转角成正比。 这样，传感器就可以把扭矩引起的扭转角转换成相位差的电信号。 5.2 霍尔式传感器 5.2.1 霍尔效应及霍尔元件 1. 霍尔(Edwin Herbert Hall)效应 置于磁场中的导体或半导体，当有电流流过时，在垂直于电流与磁场方向上将产生电动势，这种现象称霍尔效应，该电势称霍尔电势。如图5-9所示，在垂直于外磁场B的方向上放置一导体或半导体片，并通以电流I，方向如图所示。 fl=eBv （5-9） 式中：e——电子电荷； v——电子运动平均速度； B—磁场的磁感应强度。 电流使金属中自由电子或半导体中载流子(电子)在电场作用下做定向运动。此时，每个电子受洛伦兹力 fl 的作用，fl 的大小为 图5-9 霍尔效应原理图 fl的方向在图5-9中是向内的，此时电子除了沿电流反方向作定向运动外，还在fl的作用下偏转，结果使金属导电板内侧面积累电子，而外侧面失去电子而带正电，从而形成了附加内电场EH， 称霍尔电场，该电场强度为 （5-10） 式中, UH为霍尔电动势。 霍尔电场的出现，使定向运动的电子除了受洛伦兹力作用外，还受到霍尔电场力的作用，其力的大小为eEH，此力阻止电荷继续积累。随着内、外侧面积累电荷的增加，霍尔电场增大，电子受到的霍尔电场力也增大，当电子所受洛伦兹力与霍尔电场力大小相等方向相反时，即 eEH=eBv （5-11） 则 EH=vB （5-12） 此时电荷不再向两侧面积累，达到平衡状态。 假设金属导电板单位体积内电子数为n，电子定向运动平均速度为v，则电流I=nevbd，即 （5-13） 将式（5-13）代入式（5-12）得 （5-14） 将上式代入式（5-10）得 （5-15） 式中令RH=1/ne，称之为霍尔系数，其大小取决于导体载流子密度, 则 （5-16） 式中, KH=RH/d称为霍尔片的灵敏系数。 由式（5-16）可见，霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度，其灵敏度与霍尔系数RH成正比，而与霍尔片厚度d成反比。为了提高灵敏系数，霍尔元件常制成薄片形状。 通常厚度为0.1mm，而薄膜霍尔元件的厚度只有1 。 霍尔元件极间电阻R=ρl/(bd)，同时R=U/I=El/I=vl/(μnevbd)（因为μ=v/E, μ为电子迁移率），则 (5-17) 解得 RH=μρ (5-18) 从式（5-18）可知，霍尔系数等于霍尔片材料的电阻率与电子迁移率μ的乘积。因此要求霍尔片材料有较大的电阻率和载流子迁移率。 金属材料载流子迁移率很高，但电阻率很小； 绝缘材料电阻率极高，但载流子迁移率极低， N型半导体材料（其电子迁移率大于P型的空穴迁移率）才适于制造霍尔片。 目前常用的霍尔元件材料有：锗、硅、砷化铟、 锑化铟等半导体材料。表5-1为常用国产霍尔元件的技术参数。 N型锗:容易加工制造，其霍尔系数、 温度性能 和线性度都较好。可用于高精度测量。 N型硅:线性度最好，其霍尔系数、 温度性能同 N型锗。 锑化铟:对温度最敏感，尤其在低温范围内温度系数大，但在室温时其霍尔系数较大。可用于敏感元件。 砷化铟:霍尔系数较小，温度系数也较小，输出特性线性度好。可用于高精度测量。 表5-1 常用国产霍尔元件的技术参数 2. 霍尔元件结构 霍尔元件由霍尔片、四根引线和壳体组成的， 如图5-10（a）所示。 霍尔片：一块矩形半导体单晶薄片。 四根