上机报告4GWApproximation晶体硅的计算-LabXing.pdf

上机报告 4 ：GW Approximation 晶体硅的计算 张景云 清华⼤学⾼等研究院 学号：2018311809 ( ⽇期：2019 年 1 ⽉8 ⽇) 作为本学期计算⽅法系列课程的第四部分，本报告从格林函数出发，导出了Hedin ⽅程，并在 GW 近似下得到了适合计算的⾃洽循环。在实际计算的过程中，本报告 以晶体硅为对象，⽤GW 近似⽅法计算了屏蔽效应的介电常数和动量空间 点处的 能隙，并与LDA ⽅法的结果进⾏对⽐，从⽽得到了 点的能隙修正。 关键词：密度泛函理论，Abinit ，晶体硅，GW approximation ，格林函数⽅法 jy-z18@mails.tsinghua.edu.cn 1 I. 理论与算法 A. 理论部分 本报告与前⼏次不同，转⽽讨论真正的多体系统。格林函数按照下式定义：