场效应管的偏置及其电路的静态分析.pptVIP

模拟电子技术基础 上页 下页 返回 场效应管的偏置及其电路的静态分析 1．自给偏压 场效应管常用的偏置方式 自给偏压 分压式偏置 IDQ USQ= IDQ RS UGSQ= –IDQ RS (1) 电路 (2)自给偏压原理 + _ + _ (3) 静态分析 输入回路方程 当管子工作于放大区时 两式联立可求得IDQ 由此可得 + _ + _ [例] 在图示电路中，VDD=18V，RD=3kΩ，RS=1kΩ、RG=1MΩ，FET的IDSS=7mA、UGS(off)=－8V。试求UGSQ 、IDQ和UDSQ 。 + _ + _ [解] 当管子工作于放大区时 将有关数据代入上式，得 UGSQ =－2.9 V IDQ=2.9 mA 联立求解，得 2．分压式偏置 图中 (1) 电路 (2) 静态分析 + _ + _ + _ _ + 模拟电子技术基础 上页 下页 返回