MOS晶体管基本特性表征.pptVIP

上海宏力半导体制造有限公司 Grace Semiconductor Manufacturing Corporation * Confidential MOSFET Basic Characterization(MOS晶体管基本特性表征) Wenyu Gao 2008/04/18 MOSFET的特性曲线与特征参数 短沟效应(SCE RSCE) 窄沟效应(NWE RNWE)与STI寄生晶体管 C-V 特性曲线 N-type, P-type; majority-carrier(多子), minority-carrier(少子). Accumulation(积累), depletion(耗尽), inversion(反型)。 D B S G N+ poly PW e e e h h h - N+ poly PW e e e e + h N- N+ poly PW e e e + h h h NMOSFET NMOS Capacitor N+ poly PW G B B G Cpoly Cox Csi N+ poly SDE or LDD Spacer PW N+ N+ S/D N- N- gate oxide C-V 特性曲线-cont1 Poly 等效厚度与其掺杂浓度有关，一般10A； 反型层等效厚度~8A； B G Cpoly Cox Csi Teq = Tox + Tpo