电子科技一级学科介绍2.ppt

半导体器件物理(Semiconductor Device Physics)Electronic Device（电子器件） 0.1 电子器件的发展史 1906年，De. Frest发明真空三极管，放大电话的声音电流，人们期待，固体器件（长寿命、轻量、廉价）的放大器、电子开关。 1947年，点接触型晶体管诞生，划时代意义。缺点：接触点不稳定。 结型晶体管理论：超高纯度单晶，控制晶体的导电类型。 合金型晶体管。 1954年结型硅晶体管，利用晶体表面的反型层制作场效应晶体管—构想。 本门课程的基础 半导体物理基础 绪 论 微电子器件的发展历史和现状: 点接触Ge管发明不久，1950年代，结型晶体管出现，取代真空管，在收音机中使用 课程基本内容 第一部分：半导体基础，包括半导体概要、载流子模型、载流子输运、器件制备基础 第二部分：结与器件基础 A．p-n结二极管：静电特性、I-V特性、小信号导纳、瞬态响应、光电二极管 B．BJT（双极型晶体管、Bipolar Junction Transistor）和其他结型器件 BJT：基础知识、静态特性、动态响应模型 PNPN器件(晶闸管)、可控硅整流器（SCR）、其它异质结双极 型晶体管（HBT）(Heterojunction Bipolar Transistor)