氮化镓基绿光LED中V坑对空穴电流分布的影响-发光学报.pdf

第３９卷　 第５期 发　 光　 学　 报 Ｖｏｌ３９ Ｎｏ５ ２０１８年５月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ｍａｙꎬ２０１８ 文章编号:１０００￣７０３２(２０１８)０５￣０６７４￣０７ 氮化镓基绿光ＬＥＤ中Ｖ坑对空穴电流分布的影响 １ １ ２ １ １ １ １∗ 许　 毅 ꎬ吴庆丰 ꎬ周圣军 ꎬ潘　 拴 ꎬ吴小明 ꎬ张建立 ꎬ全知觉 (１. 南昌大学 国家硅基ＬＥＤ工程技术研究中心ꎬ江西 南昌　 ３３００４７ꎻ ２. 武汉大学 动力与机械学院ꎬ湖北 武汉　 ４３００７２) 摘要:采用实验与理论模拟相结合的方法ꎬ研究了氮化镓基绿光发光二极管(ＬＥＤ)中Ｖ坑对空穴电流分布 的影响ꎮ 首先ꎬ实验获得了Ｖ坑面积占比不同的３种样品ꎻ然后ꎬ建立数值模型ꎬ使得理论计算的外量子效率 (ＥＱＥ)及电压与实验测试的变化趋势相匹配ꎬ从而确立了所用数值模型的可信性ꎮ 计算结果显示:Ｖ坑改变 了空穴电流的分布ꎬ空穴电流密度在Ｖ坑处显著增加ꎬ在平台处明显减小ꎮ 进一步的分析表明:Ｖ坑面积占 比在０~１０％范围内ꎬＶ坑空穴电流占比与Ｖ坑面积占比之间呈近线性增长(斜率为２.０６)ꎬ但Ｖ坑空穴注入 在整个空穴注入的过程中仍未占主导ꎮ 关　 键　 词:Ｖ坑ꎻ氮化镓ꎻ绿光ＬＥＤꎻ空穴电流分布 中图分类号:Ｏ４８２.３１ꎻＯ４８４.４　 　 　 文献标识码:Ａ　 　 　 ＤＯＩ:１０.３７８８/ ｆｇｘ０６７４ Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ Ｖ￣ｓｈａｐｅｄ Ｐｉｔｓ ｏｎ Ｈｏｌｅ Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｉｎ ＧａＮ￣ｂａｓｅｄ Ｇｒｅｅｎ ＬＥＤ １ １ ２ １ ＸＵ Ｙｉ ꎬＷＵ Ｑｉｎｇ￣ｆｅｎｇ ꎬＺＨＯＵ Ｓｈｅｎｇ￣ｊｕｎ ꎬＰＡＮ Ｓｈｕａｎ ꎬ １ １ １∗ ＷＵ Ｘｉａｏ￣ｍｉｎｇ ꎬＺＨＡＮＧＪｉａｎ￣ｌｉ ꎬＱＵＡＮ Ｚｈｉ￣ｊｕｅ (１. Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ ＬＥＤ ｏｎ ＳｉＳｕｂｓｔｒａｔｅꎬＮａｎｃｈａｎｇ ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙꎬＮａｎｃｈａｎｇ ３３００４７ꎬＣｈｉｎａꎻ ２. Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｐｏｗｅｒ ａｎｄＭｅｃｈａｎｉｃａｌ ＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇꎬＷｕｈａｎ ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙꎬＷｕｈａｎ４３００７２ꎬＣｈｉｎａ) ∗Ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ＡｕｔｈｏｒꎬＥ￣ｍａｉｌ:ｑｕａｎｚｈｉｊｕｅ＠ｎｃｕ.ｅｄｕ.ｃｎ Ａｂｓｔｒａｃｔ:Ｔｈｅ ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ Ｖ￣ｓｈａｐｅｄ ｐｉｔ ｈｏｌｅ ｃｕｒｒｅｎｔ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎｉｎ ＧａＮ ｂａｓｅｄ ｇｒｅｅｎ ＬＥＤ ｗａｓ ｅｘｐｅｒｉ￣ ｍｅｎｔａｌｌｙ ａｎｄ ｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌｌｙ ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄ. Ｆｉｒｓｔꎬ ｔｈｒｅｅ ＬＥＤ ｓａｍｐｌｅｓ ｗｅｒｅ ｐｒｅｐａｒｅｄ ｂｙ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔꎬ ｗｈｉｃｈ Ｖ￣ｓｈａｐｅｄ ｐｉｔ ａｒｅａ ｒａｔｉｏ ｗａｓ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ. Ｔｈｅｎꎬａ ｎｕｍｅｒｉｃａｌ ｍｏｄｅｌ ｗａｓ ｅｓｔａｂｌｉｓｈｅｄ ｔｏ ｍａｔｃｈ ｔｈｅ