20130502_shunt free final version英文文献资料.pdf

Potential Induced Degradation Shunt-Free ` PID歷史背景與定義 PID測試條件與 IEC標準 PID現象 / 成因分析及系統 /模組 /電池解決方法 Cell 端 PID解決方法比較 Cell 端 PID解決方法效益分析  送樣討論事項 PID PID PID 電位誘發衰減 PID (Potential Induced Degradation)或稱 HVS (High Voltage Stress)  光伏發電系統在高伏偏壓下 ，高溫高濕環境 。 ”效應，通過封裝材料（通常是 EVA 漏電流，被確認為是引起上述效應的主要原因。 PID 的重要因素之一，它可以引起一塊組件功率衰減 50% 出。 Before : Now : PV system ≦ 120 V Large PV system 600 ~ 1000 V PID 此測試條件以室溫下 , 場為主  此不符需求 。 , PIDPID PID IEC PID + + PID N-type bcak-contact solar cell PID + PID P-type solar cell PID - Amorphos Si Thin film cell Na 離子跑到 TCO/ 玻璃界面造成剝離 負偏壓 水氣 溫度 玻璃鈉離子 PID - EL / LIT /EBIC /SIMS A PID - 不考慮 Na+ 金屬離子存在下,偏壓仍會造成 PID PID - PID衰減程度繫於偏壓極性與大小之外 ,影響 PID 主要因素是溫度與濕度 = 兩者建立漏電流路徑 I1 PID , I2 == PID - PID發生之前 ,各電性參數向上提升 ?!量測誤差還是 ?? PID發生之時 ,Rsh 先下降 , 其他的電性參數隨 之惡 化 ,Voc 與 Irev的 劣化 ,代 表的意 義為何 ? PID /