电致萤光EL太阳能晶片检测实习.pdf

南台科技大學-太陽能材料與模組實驗室 2011 電致螢光 (EL)太陽能晶片檢測實習 1.電致螢光原理 電致螢光（ Electro-luminescence ）是檢驗太陽能晶片品質最佳方法之一，藉由分析電致 螢光的光譜或影像，可以清楚了解到晶片的高 /低效率區域、微裂縫、電極斷線及晶片匹配等 資訊。電致螢光（ EL ）是對晶片施予外加偏壓而使晶片釋放螢光。螢光原理是由外在能量激 發下，如雷射或外加偏壓，使得原本在價帶的電子有機會躍遷到傳導帶；因此，在原本的價 帶便留下一個電洞，而形成一個電子 電洞對。這些激發的電子會回到基態與電洞復合- （recombination ），並將能量以光的形式釋放。當然也可能以熱能或其他能量形式釋放出來 （non-radiative recombination ）。 2. 結晶矽太陽能晶片 傳統結晶矽太陽能晶片屬於 PN接面結構。其P型半導體內含有許多的電洞，其費米能階 很接近價帶，對 N型半導體則有許多的電子，其費米能階很接近傳導帶，如圖一 (a)所示；當 兩者結合，在平衡狀態下費米能階會相等，所以P型半導體的傳導帶高於 N型半導體的傳導 帶，價帶亦然如圖一 (b)所示。當我們外加順向偏壓，提供了能量，減低電子和電洞的移動能 障。此外，外加順向偏壓也造成外加電場形成，而導致電子和電洞的移動，如圖一 (c)所示。 電子和電洞因而在 PN接面邊界上累積，於是此處電子和電洞結合而放出光。矽的能隙為 1.12eV ，故其發光波長約為1100 nm左右屬於近紅外線，需要應用特殊CCD 才能感應。 南台科技大學-太陽能材料與模組實驗室 2011 圖一、 PN接面能帶圖，(a)未接觸的P型和 N型半導體的能帶圖； (b)接觸的PN接面的能帶圖； (c)在順向偏壓下， PN接面的能帶及載子示意圖。 3. EL實驗設置 本實驗中所使用之 EL影像擷取鏡頭為 SolarPlant Technology的 ELCam-140MC ，如圖二。 感光元件為 2/3” CCD ，有效解析度為1360 x 1024像素，像素大小 6.45 μm2 ，影像的訊號輸 出使用FireWare 1394a 。EL量測步驟首先為避免實驗環境中其他不必要之光源影響，所以實 驗環境必須於暗室下進行機台。並且使用方格紙在 CCD擷取影像範圍中心點做定位，以免目 標物至於影像邊緣時造成的魚眼效果造成影像的變形。電流的供給採取定電流方式，電流條 件為 35 mA/cm2 ，曝光時間為5 sec 。 EL實驗量測步驟如下，將晶片先固定在 EL 機台內（將晶片正極與 EL量測機台的負極 連接，晶片負極與機台正極連接）；打開EL影像擷取拍攝程式， ProgResR CapturePro 2.7 ，設 定所需拍攝的參數，例如曝光時間、增益控制、增益因素、伽值等；開啟 EL電源開關，開 啟電源供應器開關，給予定電流（依照晶片大 小設定電流強度小）；進行晶片拍攝及影像擷 取。 南台科技大學-太陽能材料與模組實驗室 2011 圖二、 ELCam-140MC EL影像擷取鏡頭 圖三、 EL實驗示意圖。 EL檢測對於晶片微裂縫的成像效果相當不錯，可發現其餘光學技術無法拍攝到的裂縫缺 陷。 EL發光強度除正比於輸入電流外，也與太陽能晶片中的缺陷有關。因為太陽能晶片中內 部缺陷區域有較低的少數載子流密度，導致較少的紅外光被激發出，使得缺陷、損傷的部分 在影像中會呈現較灰暗的部分，即太陽能電池因缺陷而導致發光效率不佳的區域，經過感測 器擷取影像後，該區域灰階明顯較暗。使用紅外光 CCD擷取影像缺陷以及隱裂處也可以輕鬆 的被觀察到，如圖四所示。 圖四、 EL影像可以觀察到肉眼無法察覺之損傷。