材料微观结构第四章晶体中的位错与层错3.ppt

2. BCC中的层错与扩展位错 每两个相邻的(112)面的间距为a/6[112]，但彼此相对位移一个矢量，此矢量在[11-1]和[1-10]方向的分量分别为a/6[11-1]和a/2[1-10]。下图表示的是以C2表示的(112)为镜面，(1-10)面的原子沿[11-1]方向滑移1/6[11-1]或沿反方向滑移1/3[-1-11]而形成的。 孪晶的切变为： (2) BCC全位错的分解与层错 ?BCC中全位错的分解 BCC金属的滑移方向是111，全位错柏氏矢量为a/2111。 滑移面有三种类型{110}(3个同族面)、{112}(3个)和{123}(6个)，它们都包含111方向。这些面都 会相交于一个111方向，所以BCC会经常出现交滑移。 电镜中会经常看到波纹状的滑移线，这说明层错能γ很高，扩展位错宽度d很小，一般观察不到。至今未见这方面的报道。 BCC中还有一种次短全位错a100 BCC中的全位错存在着分解的可能性 即它的滑移不对称性，晶体单向压缩和同一晶向拉伸时可观察到不同的滑移面。这说明在某一滑移面上沿某一方向运动所需之切应力与在此滑移面上沿相反方向运动所需之切应力是不同的。由此推测BCC金属中全位错芯区的原子弛豫状况是不对称的。这种位错芯区弛豫不对称，说明在一定外力条件下，全位错仍然可能分解。 BCCa/2111全位错的分解 在a/2111全位错的诸多可能分解中，从能量上考虑应是形成a/6111不全位错的那些分解。因为从能量上考虑，这样的反应是可以自动进行的。 BCC中a/2111型全位错的分解，主要结论如下： 若a/611-1沿{112}扩展，将形成如左图所示的孪晶薄层。这时的领先位错为a/3[11-1]，此方向正好是孪生的逆方向，原子错排严重，层错能很高，分解将是不稳定的。 若全位错平行于[111]，则为螺位错，分解可按下式进行： 三个a/6[111]位错分别扩展到三个相交的{112}面上，如图(a)(b)，此时分解后的位错组态极不稳定，以致常转成非对称分布，如图(c)。 全位错a/2[111]在[110]上运动，可以通过下述反应完成： ?BCC中的层错 BCC完整晶体的{112}堆垛顺序为A1A2B1B2C1C2A1A2…，有时也记作ABCDEFAB…，当{112}堆垛顺序发生错排时，便形成层错，分三种情况： 第一种情况 参看图4-11(c)，正常排列顺序中，若C1层上面的晶体相对下面晶体作a/6[11-1]或a/3[-1-11]位移，便产生内禀层错，如图4-14(a),其顺序是…A1A2B1B2C1C2C1C2A1A2B1B2C1C2…，这相当于正常顺序中插进C1C2两层。而C2C1C2正好是一个三原子层的薄层孪晶。这相当于FCC中的插入型层错。 第二种情况 参看图4-14(b)，若正常排列中某C1的原子层作a/3[11-1]或a/6[-1-11]滑移，此时C1层变成了A1层，以后各层顺序位错a/3[11-1]或a/6[-1-11]，就得到图4-14(b)的新排列：C1C2A1A2B1B2A1A2B1B2C1C2…，这相当于正常顺序中抽出了C1C2，其结果是形成了四层层错A1A2B1B2，这和FCC的抽出型层错相当。 第三种情况 参看图4-11(d)，这是BCC层错的特例，也是典型的BCC孪晶排列。形成过程是含中间的C2的上半部各层顺序不动，中间C2以下各层{112}滑移a/6[11-1]或a/3[11-1]，于是A1→C1，A2→B2，B1不动，B2→A2，C1→A1…最终形成下述顺序：…A1A2B1B2C1C2C1B2B1A2A1…，这就是典型的BCC孪晶。 3. 密排六方晶体中的层错与扩展位错 HCP晶体中密排面是(0001)，整个晶体以它为基面一层一层按ABABAB…顺序堆垛，如果出现ABABABCABAB…，如图4-15，那么其中的ABC，CAB，ABCAB都是错排，即层错，它们其实相当于FCC的堆垛方式。 正顺序：ABC，BCA，CAB 逆顺序：CBA，BAC，ACB ABABCBABAB 另一种情况是从正常的HCP排列顺序中加入两个FCC排列，如ABCBA，就形成了中间的五层孪晶。 在WC硬质合金研究工作中，在粘结相Co中曾经观察到HCP的βCo中，出现了ABC排列的FCC胚胎，最终形成FCC的αCo，即发生了βCo→αCo的相变。 在电镜观察HCP时，若要知道引起层错衬度的(0001)层数的多少，可以用出现的ABC(含逆顺序)的层数减2得到，上面两种情况下应该是5-2=3层，这在计算层错衬度和计算由于层错引起的系统能量升高有用。 层错和四周完整晶体的边界，便是不全位错 HCP和FCC全位错分解有相似之处，如： FCC： HCP： 不同之处：FCC全位错分解可在不同滑移面上进行，如DA