2.2金属表面势垒和逸出功.pptxVIP

1 一、势垒高度 价电子在金属内可以自由移动，但它要从金属表面逸出，则受到势垒的阻挡作用。 电子在向真空界面逸出过程中，将受到金属界面的吸引，只有电子克服了此吸引，才能脱离金属，成为真正的自由电子。 2.2 金属表面势垒和逸出功 2 1、电子在金属-真空界面处所受到的2个吸引力 ①当电子离开金属界面较远时，受到“镜像力”的吸引。 镜像力的方向垂直指向金属表面。 3 ②当电子离开金属表面距离较小时，电子受到一个偶电层电场的拒斥力，该力使电子返回金属。 肖特基认为，电子在偶电层里受到的Fn是恒定的，并且就等于电子在X0处的镜像力。 4 电子从金属向真空逸出，将要克服Fn+Fim的吸引，才能逸出。 电子为逸出金属而克服Fn+Fim力，跑到无限远处所作的功，即为势垒高度。 通常，由于X0无法确定，所以，真正的Wa不能靠计算来确定，而是通过实验的方法来确定。 2、势垒高度 5 3、势垒的形状 6 二、逸出功 意义：处于费米能级上的电子，要逸出金属表面所必需提供给它的最小能量。 逸出功的大小直接反映发射效率（电子数/输入能量）。逸出功越大，使电子逸出所需提供的能量越大，发射效率越低。逸出功越小，使电子逸出所需提供的能量越少，发射效率越高。 7 三、影响金属逸出功大小的因素 1、温度对逸出功基本没有影响 逸出功的温度系数很小： 实际上： 金属逸出功的平均值（eV） Al 4.2 Cs 1.93 Na 2.28 Ag 4.46 Cu 4.45 Ni 4.96 Au 4.89 Fe 4.44 Pd 4.98 Ba 2.51 K 2.22 Pt 5.36 Cd 4.10 Li 2.48 Ta 4.13 Co 4.41 Mg 3.67 W 4.54 Cr 4.6 Mo 4.24 Zn 4.29 8 2、不同的晶面，逸出功不同 原因：不同晶面的原子密度及“电子云”密度不同，在表面形成的偶电层的X0不同，即Fn不同。 不同钨晶面的逸出功 （eV） 晶面 指数 111 112 116 110 紧面 100 松面 参数 Φhkl 4.4 4.69 4.3 5.33 4.59 Ahkl 35 125 53 15 —— 9 正电性原子吸附 碱土金属原子很容易丢失其电子，则在吸附原子附近电子云密度减少，而基体表面层的电子密度增大。这种电荷分布，在固体表面建立了正极性在外的偶电层。偶电层产生的附加电场，削弱了电子逸出过程中所受到的阻力，引起逸出功下降。 3、固体表面的吸附对逸出功的影响很大 10 负电性原子吸附 氧原子等对电子具有很大的亲和势，则吸附原子就把电子从晶体中拉向吸附层一侧，形成负极在外的偶电层。偶电层产生的附加电场，增强了电子逸出过程中所受到的阻力，引起逸出功上升。 阴极中毒 由于负电性原子的吸附，引起金属逸出功的增加，造成金属发射电子能力的下降。