09-MCCE technique for silicon solar cells：constructing light-trapping...-苏晓东英文学习资料 .pdfVIP

12th China SoG Silicon and PV Power Conference MCCE technique for silicon solar cells: constructing light-trapping textures from nanoscale to submicron 苏晓东教授 苏州大学物理与光电•能源学部 中国·嘉兴 Outline 1. 湿法黑硅与CSPV 2. 研究进展 3. 总结和展望 1. 湿法黑硅与CSPV 历年CSPV中的湿法黑硅报告 湿法黑硅 报告 年 本人报告题目 分会场 研发单位 数量 全液相刻蚀制备黑硅及 新型电池、薄膜 2012 苏大/ 阿特斯 1 其太阳电池 电池 超18%高效多晶黑硅太 高效晶硅电池和 2013 苏大/ 阿特斯、上交 3 阳电池技术 组件制造技术 下一代高效多晶黑硅： 苏大、阿特斯、上交、 2014 新型电池技术 6 金刚线切和纳米绒面 南航、Kyoto Uni. 金刚石线切多晶 具有普适性纳米陷光绒 苏大、阿特斯、上交、 2015 硅片高效纳米制 8 面黑硅太阳电池技术 中科院 绒量产技术 MCCE技术：构造从纳 苏大、阿特斯、上交、 2016 黑硅技术与应用 9 米到亚微米的陷光绒面 中科院等 1. 湿法黑硅与CSPV 常规HNO /HF制绒属于各项同性刻蚀，有赖于硅片表面切割 3 损伤层。金刚线切硅片表面损伤层浅并有线痕，导致刻蚀后 有线痕残留、绒面浅，从而陷光性能差，最终影响效率 HNO /HF制绒 Ag-MCCE 3 经产线生产验证，金刚线切多晶硅采用Ag-MCCE技 术可以获得和砂浆线切相同的效率，Voc甚至更高 1. 湿法黑硅与CSPV 目前，多晶黑硅电池量产效率19-19.4%，叠加PERC效率 已有超过20%的报道 纳米绒面带来的问题 电池色差：使用添加剂有改善，但稳定性及效率有影响 V 低：至少有一个纳米维度，表面积大、钝化效果不佳 oc CTM低：优化封装材料，从而匹配短波段吸光谱的改变 从绒面结构入手解决上述问题，是更佳方案 各向同性