2009集成电路统设计基础试卷.docVIP

PAGE PAGE 10 华南农业大学期末考试试卷 2009学年第1学期　 考试科目：集成电路系统设计基础 考试类型：（开卷）　　　考试时间：　120　分钟 学号 姓名 年级专业 题号 一 二 三 四 五 总分 得分 评阅人 刘 刘 刘 刘 刘 刘 一、选择题（本大题共10小题，每题2分，总计20分） 1．为了提高集成度 所采取的途径不合适。 A．提高微细加工技术；B. 晶圆大直径化；C. 芯片面积缩小；D. 简化电路结构 2． 发明了世界上第一块集成电路，为此他在2000年获得诺贝尔物理学奖。 A．William B. Shockley B．Walter H. Brattain C．Jack Kilby D．John Bardeen 3．在图案发生器法中，规定版图基本图形为矩形。每个矩形条用5个参数进行描述，下面不属于矩形条描述参数的是 A．矩形高度H B．矩形宽度W C．矩形左下角坐标X、Y D．矩形宽度W 所在的直线与X轴夹角A 5．下列集成电路有源器件工艺中，潜在速度最高的是： A． CMOS B．NMOS C．BiCMOS D．GaAs 6．在 工艺的晶体结构中存在大量可高速迁移的电子即二维电子气。 A．MESFET B．HBT C．HEMT D．MOS 7．硅栅工艺出现后，MOS制作工艺得到了极大的改善，其原因主要是： A．形成了自对准技术 B．硅栅比铝栅成本低 C．硅栅容易制作； D．器件集成度更高 8．下列半导体集成电路工艺中不属于外延生长工艺的是 A．P－CVD； B. MOVPE； C. MBE D. LPE 9．下列集成电路设计的表示方法中，不属于同类设计方法的是： A．CBIC； B. GA； C. ISP D. GS 10．集成电路设计的最终输出是： A．电子产品； B. 电路图； C. 版图 D. 掩模 二、填空题（本大题共10小题，每题2分，总计20分） 1．描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标为： 、 、芯片面积、晶片直径以及封装。 在衬底（或其外延）上制作晶体管的区域称为 区；一种很厚的氧化层，位于芯片上不做晶体管、电极接触的区域，称为 区。 3．摩尔定律是：????????????????????????????????????????????????????? ??????????????????????????????????????????。 4．IC设计单位不拥有生产线，称为 ，IC制造单位致力于工艺实现，没有IC设计实体，称为 。 6．根据 不同，常把MOS器件分成增强型和耗尽型两种。 7．IC工艺中的“制版”就是要产生一套分层的版图掩模，为将来进行 ，即将设计的版图转移到晶圆上去做准备。 8．薄层电阻又称方块电阻，其定义为正方形的半导体薄层，在电流方向所呈现的电阻，常用欧姆每方表示。其值直接反映的是 。 9．半导体集成电路薄膜制备的主要工艺有：外延、氧化、 、 。 10．在单位电场强度作用下，载流子的平均漂移速度称为载流子的迁移率[cm2/V?S]，它反映了载流子在半导体内作定向运动的难易程度，其值的大小直 接影响 。 三、判断题，正确的在括号内打“√”，错误的打“×”（本大题共10小题，每小题1分，总计10分） 1．在杂质半导体中多子的数量主要与温度有关。（ ） 2．在外加电压的作用下，P型半导体中的电流主要是电子电流。（