实现半导体照明.ppt

新一代信息功能材料研发是必然趋势 周期表中与半导体相关元素 GaAs在无线通讯方面具有众多优势 砷化镓与硅元件特性比较 GaAs非常适合高频无线通讯 无线通信IC包括三个功能部分 GaAs是功率放大器的主流技术 手机是促进GaAs IC市场增长的主要动力 相关数据的解释 国内外现状对比 GaAs还有更多的应用领域 中科镓英——新材料领域最具创新力企业 中科镓英技术 第三代半导体材料GaN 氮化镓与其它半导体材料的比较 GaN应用领域 细分应用领域 高亮度LED市场规模和增长分析 市场分布分析 市场发展趋势分析 白光LED优异的性能和实现方式 美国半导体照明计划 中国专家的呼吁 联创光电LED业务分析 GaN外延方法 联创光电盈利预测 引领专业投资 * HTTP://RESEARCH.CSC.COM.CN * 引领专业投资 HTTP://RESEARCH.CSC.COM.CN 蔡 晓 caixiao@ （01084051 新一代信息功能材料及器件的投资机会 随着无线通讯时代的到来，硅被应用到通讯方面的电子元件，发展出第一、二代移动通讯。但是，硅电路传送讯息的速度太慢、杂讯太多。 传讯的关键在于电子移动速率的快慢，这是材料的基本电学特性之一，很难加以改良。硅元件的电子移动速率不够快，已无法满足人们的需要，因此新材料的研发是必然趋势。 锑Te 铟In 镉Cd 5 硒Se 砷As 锗Ge 镓Ga 锌Zn 4 硫S 磷P 硅Si 铝Al 3 碳C 硼B 2 Ⅵ Ⅴ Ⅳ Ⅲ Ⅱ 周期 砷化镓晶片与硅晶片主要差别，在于它是一种“高频”传输使用的晶片，由于其频率高，传输距离远，传输品质好，可携带信息量大，传输速度快，耗电量低，适合传输影音内容，符合现代远程通讯要求。 一般讯息在传输时，因为距离增加而使所能接收到的讯号越来越弱，产生“声音不清楚”甚至“收不到信号”的情形，这就是功率损耗。砷化镓晶片的最大优点，在于传输时的功率损耗比硅晶片小很多，成功克服讯号传送不佳的障碍。 砷化镓具有抗辐射性，不易产生信号错误，特别适用于避免卫星通讯时暴露在太空中所产生的辐射问题。另外，环境温度过高时电子迁移速率会降低，但砷化镓材料操作温度高度200oC，不易因高频所产生的热能影响到产品稳定性。 高 低 产品良率 低 高 材料成本 大 小 元件大小 高 小 功率耗损 杂讯多，不易克服 杂讯少 高频下使用 否 是 具光能 低 高 抗辐射性 低 高 电子迁移速率 120oC 200oC 最大操作温度 1GHz 2～300GHz 最大频率范围 硅 砷化镓 5.8GHz 电子收费系统 76～77GHz 汽车雷达控制系统 28GHz 宽频卫星服务 1.6、2.5GHz（subscriber） 20、23、29GHz（up/down/crosslink） 卫星移动电话 6、14、28GHz VSAT（小型卫星地面站） 6、8、11、15、18、23、38、60GHz Point-to-point Radio 900MHz 2.4、5.8、60GHz Wireless LAN 11～13GHz 卫星电视 1.6GHz GPS 50～1000MHz 有线电视 900MHz（cellular） 1.8～2.2GHz（PCS） 2.2～2.4GHz（3G wireless） 个人通讯服务 频率范围 应用领域 射频IC (Radio Frequency) 中频IC (Intermediate Frequency IC) 基频IC (Baseband IC) 负责发送/接收射频信号 负责二次升/降频和调制/解调 负责A/D、D/A、信号处理器和CPU 砷化镓具备许多优异特性，但材料成本及良品率方面比不上硅，因基频部分以处理数字信号为主，内部组件多为主动组件、线路分布密集，故以细微化和高集成度纯硅CMOS制程为主。 手机中重要关键零部件功率放大器（Power Amplifier，PA），由于对放大功率的严格要求，因此使用GaAs制造将是最佳方式。GaAs在无线通讯射频前端应用具有高工作频率、低噪声、工作温度使用范围高以及能源利用率高等优点，因此在未来几年内仍是高速模拟电路，特别是功率放大器的主流制程技术。 根据Strategy Analytics的报告，手机仍将是促进砷化镓（GaAs）IC市场增长的主要动力 2004年GaAs芯片市场29亿美元，2008年将达37亿美元 GaAs器件市场将继续主要依赖无线市场，手机市场是主要增长动力，2003年无线市场占GaAs器件总体需求的41%以上，来自汽车雷达等其它应用的需求将会增长，但2008年手机仍将至少占GaAs市场的33% 随着手机需求成长，以及每支手机所需PA从单频增为双频和三频，预计光手