半导体物理学第三章半导体中载流子统计分布.pptVIP

本章重点 计算一定温度下本征和杂质半导体中热平衡载流子浓度； 探讨半导体中载流子浓度随温度变化的规律。 计算载流子浓度须掌握以下两方面的知识 允许的量子态按能量如何分布 电子在允许的量子态中如何分布 热平衡态 一定的温度下，两种相反的过程（产生和复合）建立起动态平衡 状态密度 计算步骤 计算单位k空间中的量子态数； 计算dE能量范围所对应的k空间体积内的量子态数目； 计算dE能量范围内的量子态数； 求得状态密度。 3.1.1 k空间中量子态的分布 对于边长为L的立方晶体 kx = 2πnx/L (nx = 0, ±1, ±2, …) ky = 2π ny/L (ny = 0, ±1, ±2, …) kz = 2π nz/L (nz = 0, ±1, ±2, …) k空间状态分布 二、旋转椭球等能面情况 2、费米能级EF的意义 二、波尔兹曼（Boltzmann）分布函数 费米和玻耳兹曼分布函数 三、空穴的分布函数 四、导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度 导带中的电子浓度 §3.4 杂质半导体的载流子浓度 二、n型半导体的载流子浓度 §3.5 一般情况下（即杂质补偿情况）的载流子统计分布（自学） 1、简并化条件： (1)Ec-EF2k0T 非简并 服从波尔兹曼分布 (2)0 Ec-EF2k0T 弱简并 (3)