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半导体专业词汇 1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主，如 B ，掺入 Si 中需要接受电子 3. ACCESS ：一个 EDA （Engineering Data Analysis ）系统 4. Acid ：酸 5. Active device ：有源器件，如 MOS FET （非线性，可以对信号放大） 6. Align mark(key) ：对位标记 7. Alloy ：合金 8. Aluminum ：铝 9. Ammonia ：氨水 10. Ammonium fluoride ： NH4F 11. Ammonium hydroxide ：NH4OH 12. Amorphous silicon ： α-Si ，非晶硅（不是多晶硅） 13. Analog ：模拟的 14. Angstrom ：A （1E-10m ）埃 15. Anisotropic ：各向异性（如 POLY ETCH ） 16. AQL(Acceptance Quality Level) ：接受质量标准，在一定采样下，可以 95%置信度通过质 量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） 17. ARC(Antireflective coating) ：抗反射层（用于 METAL 等层的光刻） 18. Antimony(Sb) 锑 19. Argon(Ar) 氩 20. Arsenic(As) 砷 21. Arsenic trioxide(As2O3) 三氧化二砷 22. Arsine(AsH3) 23. Asher ：去胶机 24. Aspect ration ：形貌比（ ETCH 中的深度、宽度比） 25. Autodoping ：自搀杂（外延时 SUB 的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外 延层） 26. Back end ：后段（ CONTACT 以后、 PCM 测试前） 27. Baseline ：标准流程 28. Benchmark ：基准 29. Bipolar ：双极 30. Boat ：扩散用（石英）舟 31. CD ： （Critical Dimension ）临界 （关键）尺寸。 在工艺上通常指条宽， 例如 POLY CD 为 多晶条宽。 32. Character window ：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 33. Chemical-mechanical polish （CMP ）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方 法。 34. Chemical vapor deposition （CVD ）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工 艺。 35. Chip ：碎片或芯片。 36. CIM ：computer-integrated manufacturing 的缩写。 用计算机控制和监控制造工艺的一种综 合方式。 37. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。 38. Cleanroom ：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。 39. Compensation doping ：补偿掺杂。向 P 型半导体掺入施主杂质或向 N 型掺入受主杂质。 40. CMOS ：complementary metal oxide semiconductor 的缩写。一种将 PMOS 和 NMOS 在同 一个硅衬底上混合制造的工艺。 41. Computer-aided design （CAD ）：计算机辅助设计。 42. Conductivity type ：传导类型，由多数载流子决定。在 N 型材料中多数载流子是电子，在 P 型材料中多数载流子是空穴。 43. Contact ：孔。在工艺中通常指孔 1，即连接铝和硅的孔。 44. Control chart ：控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。 45. Correlation ：相关性。 46. Cp ：工艺能力，详见 process capability 。 47. Cpk ：工艺能力指数，详见 process capability index 。 48. Cycle time ：圆片做完某段工艺或