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太阳能测试原理 技术部 一、物理基础 1、P-N结 2、等效电路 3、I-V曲线 二、参量的测量及计算 三、Berger系统操作 四、结束语 目录 一、物理基础 1、P-N结 本征硅：非常纯的硅称为本征硅。 硅 P型硅：掺有受主的硅成为P型硅（掺硼/多子为空穴） 搀杂硅 N型硅：掺有施主的硅成为N型硅（掺磷/多子为电子） 当P型半导体和N型半导体紧密结合在一起时，在两者的交界处就形成P-N结。实际 上，同一块半导体中的P区和N区的交界面就称为P-N结。 在室温下，硼、磷原子全部电离， P区多子为空穴，N区多子为电子。交 界面两侧的电子和空穴的浓度不同，于 是界面附近的电子将通过界面向右扩散 运动，而空穴向左扩散运动（图1） 随着电子和空穴的扩散，在交界面 附近形成不能移动的电离磷原子P＋和 不能移动的电离硼原子B－，它们阻碍P区空穴向N区及N区电子向P区继续流动，称为耗尽 层。又因为耗尽层存在由N区指向P区的电场，称为内建电场。在内建电场的作用下,将产 生空穴向右而电子向左的漂移运动,其方向与扩散作用相反（如下图） ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ － － － － － － － － － － － － N P 图1 － ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ － － － － － － － － － － － － 内建电场 N P 在图2中，P-N结处于平衡状态。在自建电场作用下形成的漂移电流等载流子浓度差形成的扩散电流，从而使P-N结中的静电流为0。 当入声光照在电池上时，在N区、耗尽区和P区中激发出光生电子－空穴对。光生电子－空穴对在耗尽区中产生后，立即被内建电场分离，光生电子被送进N区，光生空穴被送到P区。根据耗尽近似条件，耗尽区边界处的载流子浓度近似为0，即p=n=0。在N区中，光生电子－空穴对产生以后，光生空穴便向P-N结边界扩散，一旦到达P-N结边界，便立即受到内建电场作用，被电场力牵引做漂移运动，越过耗尽区进入P区，光生电子（多子）则被留在N区。P区中的光生电子同样的先因为扩散，后因为漂移而进入N区，光生空穴留在P区。如此便在P-N结两侧形成了正、负电荷的积累。产生了光生电压，这就是“光生伏打效应”。当电池接上一负载后，光电流就从P区经负载流至N区，负载中即得到功率输出。 图2 2、等效电路 Rs ID IL Ish U Cj I RL Uj Rsh 当受光照射的太阳能接上负载时，光生电流经负载，并在负载两端建立起端电压。这时太阳能电池的工作情况可由左图所示等效电路来描述。图3中把太阳能电池看成稳定的产生光电流IL的电流源（只要光源稳定）。 由图中可以看出，流经负载的电流为I=IL－ID-Ish 。 UOC：RL=∞时（I=0，相当于开路）的电压U为开路电压UOC。 ISC ：RL=0 时（U=0，相当于短路）的电流I为短路电流ISC。 Rsh ：周边刻蚀没有完全刻掉，存在漏电，上下导通的电阻为并联电阻。 RS ：由材料体电阻