微电子器件与IC设计第三章小结.pdf

第第3章章 小结小结 第第 章章 小结小结 一、直流电流的放大系数 二、Ts 的反向特性 三、基区电阻 四、BJT 的特性曲线 五、Ebers-Moll模型 六、频率特性参数 七、I-V方程 一、一、直流电流放大系数直流电流放大系数 一一、、直流电流放大系数直流电流放大系数 1. Tr对电讯号的放大作用对电讯号的放大作用 （为什么能放大（为什么能放大？放大的特点？放大的特点?）） 对电讯号的放大作用对电讯号的放大作用 （（为什么能放大为什么能放大？？放大的特点放大的特点 ）） 要Tr能够放大，关键是要Tr 的输出电流I 随输入电流I 而 c b 变。如果集电极电流是由发射极来的，那么集电极电流当然 会随发射极电流而变化。 分三个过程讨论： （1）发射区向基区发射电子 Dpp no Ine Ine 1 Ipe Lp DLpp n no LpτnNp γ = = = = Dnn po = ≈ τ Ie Ine +Ipe 1+Ipe / Ine Ine DLnn p po Ln pNn Ln 2 2 pN =n ,n N =n ( ; N 和N 分别为发射区和基区的掺杂浓度) n0 n i p0 p i n p 若使Nn ≫Np，则可使Ipe ≪Ine，所以Ine ≈ Ie 。 一、一、直流电流放大系数直流电流放大系数 一一、、直流电流放大系数直流电流放大系数 （2 ）电子在基区的输运过程：电子注入基区后，形成一浓 度梯度，向远离发射结的纵深扩散。如果Wb ≫ Ln，那么电 子还没有扩散到集电结就差不多复合完了，就不能影响集 电极电流。所以需要Wb ≪ Ln，这样注入基区的电子只有 一小部分在基区复合，大部分传输到集电结。 （3 ）电子被集电结收集的过程：集电结反偏，有很强的反 偏电场。当注入基区的电子到达集电结边缘时，就受到强 电场的吸引，漂移过势垒区，成为Ic 的大部分。 一、一、直流电流放大系数直流电流放大系数 一一、、直流电流放大系数直流电流放大系数 Tr放大的特点放大的特点：： 放大的特点放大的特点：： Ic ①电流放大，可通过实际测量 β = ≫1 Ib ②阻抗转换： ●因为Tr 的输入端是一正偏的发射结，所以r输入小;输出端 是反偏的集电结 （且一般反偏压较大）， 大。 r输出 ●在匹配情况下，允许选用较大阻值的负载RL ， ， V出 RL ，（电压放大） V入=r入 ⋅△Ib V出=RL ⋅IC k = = ⋅β 0 V入 r入