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单晶硅生产制备方法大全 单晶硅晶片及单晶硅的制造方法 本发明的单晶硅晶片及单晶硅的制造方法，是属于切克劳斯基法(CZ 法)生长单 晶硅晶片，其特征为：对全部晶片进行热氧化处理时，在环状发生OSF 的外侧的 N 区域，不存在通过Cu 淀积所检测出的缺陷区域。由此，可以利用确实能提高 氧化膜耐压等电气特性的CZ 法，在稳定的制造条件下，制造既不属于富含空孔 的V 区域、OSF 区域，也不属于富含晶格间隙硅的I 区域的硅单晶晶片。 绝缘体上的单晶硅(SOI)材料的制造方法 本发明公开了一种采用SIMOX 技术制造SOI 材料的方法。通过在传统的注氧隔离 制造工艺中引入离子注入非晶化处理，使得非晶化区域内的各种原子在退火时产 生很强的增强扩散效应，从而制造出顶部硅层中的穿通位错等晶体缺陷和二氧化 硅埋层中的硅岛和针孔等硅分凝产物得以消除的高品质的SOI 材料。本发明还公 开了一种将离子注入非晶化处理应用到采用注氮隔离或注入氮氧隔离技术中制 造SOI 材料的方法，使得氮化硅埋层或者氮氧化硅埋层是非晶层，顶部硅层是和 氮化硅埋层或者氮氧化硅埋层的界面具有原子级陡峭的单晶硅层。 分离单晶硅埚底料中石英的工艺 本发明属于半导体分离技术领域，特别是涉及一种分离单晶硅埚底料中石英的工 艺，包括下列步骤：a.将埚底料破碎，得到颗粒状的埚底料；b.用Si3N4 涂料刷 抹坩埚底部和内壁，让其自然干燥；c.把颗粒状埚底料放置在坩埚内；d.装有颗 粒状埚底料的坩埚放入中频感应电炉，开启电源使炉内温度升高至熔点温度后 100℃左右，保温 10-30 分钟，则颗粒状埚底料在坩埚内重熔；e.在加热达到规 定时间后，关掉电源，待自然冷却后，可得到已分离的硅与石英；本发明提供的 分离单晶硅埚底料中石英的工艺方法，通过将混含有石英的埚底料放置在中频炉 中高温加热熔融，利用硅的熔点低于石英熔点的特性，能够方便地将石英颗粒与 硅液分离开，因此，本发明具有工艺简单、生产安全、能耗低、分离效果好等优 点。 单晶硅衬底上可动微机械结构单片集成的制作方法 本发明公开了一种单晶硅衬底上可动微机械结构单片集成的制作方法，它涉及微 电子机械工艺加工技术领域中的微电子机械系统结构器件的制造。它采用浓硼扩 散、光刻、深反应离子刻蚀和选择性湿法腐蚀技术工艺，实现可动悬空与固定微 结构都制作在同一单晶硅片上，达到可动微机械单片集成制作目的。本发明具有 制造成本低廉，操作制造简易，能单片集成和大规模集成等优点，适合于光开关、 谐振器、加速度计等多种具有可动微结构器件的制作。 直径300mm 及300mm 以上的单晶硅晶片及其制造方法 本发明涉及直径300mm 及300mm 以上的单晶硅晶片，从表面到3 微米以上的深度 存在无COP 的无缺陷层；及一种单晶硅的制造方法，通过CZ 法掺杂氮拉制直径 300mm 及 300mm 以上的单晶硅时，将拉晶速度设为V[mm/min]，以G[K/mm]表示 从硅的熔点至 1400℃间的拉晶轴向的结晶内温度梯度平均值，将 2 V/G[mm /K²min]的值设为低于0.17 以生长结晶；及一种单晶硅晶片的制造方法， 对掺杂氮的直径300mm 及300mm 以上的硅单晶硅晶片进行热处理，在惰性气体或 氢或它们的混合气体的环境下，进行1230℃以上、1 小时以上的热处理。由此， 确立单晶硅拉晶条件及晶片的热处理条件，用于拉制直径300mm 及300mm 以上的 单晶硅并加工成晶片，并对晶片进行热处理，获得在表层的相当深度具有无COP 的无缺陷层的单晶硅晶片。 抑制长的大直径单晶硅生长条纹的直拉生长装置 在一种丘克拉斯基单晶硅生长装置中，其在生长炉（１）中通过提线（７）上拉 晶种（Ｚ）来生长硅单晶（Ｙ），一个磁环（１２）被安装在硅单晶上，一个电 磁体（８）被固定于生长炉上以便上拉磁环。 制备单晶硅片表面完整层的新途径 本发明属于集成电路用半导体材料的制备技术.发明人利用中子辐照氢气氛下区 熔单晶硅.经切、磨、抛后,硅片实行两次热处理的方法,获得单晶硅片由于体内 氢沉淀造成的表面完整层,为集成电路用硅材料提供了新的可能途径. 非线性磁场中单晶硅拉制方法及其装置 一种在磁场中拉制单晶的方法和单晶炉,该单晶炉的螺旋管分成内径大小不同的 两组,螺旋管的衔铁做成炉壁的形状,同时作为整个炉体的炉壁,并与炉体的上下 端盖和磁环形成全封闭结构,螺旋管由升降器支撑,可以相对坩埚做上下运动,拉 晶时,坩埚位于由螺旋管所产生磁场的上端或下端具有喇叭形状的非线性区域, 以获得对熔硅热对流的尽可能大的抑制效果,全封闭结