材料科学与工程导论-第一章 薄膜的基础知识.pptVIP

特点 在非热平衡状态下的生长，可实现II-VI族半导体的p、n型导电。 可严格控制组成浓度和杂质浓度，因此可制备出具有急剧变化的杂质浓度和组成的器件。 可进行原位观察，因此可得到晶体生长中的薄膜结晶性和表面状态数据，并可立即反馈以控制晶体生长。 溅射产额及其影响因素 3)溅射产额依入射离子和靶材的不同而异。 4)对于相同的靶材和入射离子的组合，随着离子入射角的不同，溅射产额各异。一般说来，斜入射比垂直入射的溅射产额大些。 膜层生长过程 与此同时还会产生一系列其它现象和特点：如，膜层和基片的附着力增加，会形成准稳态相的膜层(例如类似金刚石相的碳膜和非晶态膜等)，选择性附着和选择性反溅射效应引起膜层组分发生变化，由于高能粒子打入膜层的效果，引起膜层中杂质气体的混入、缺陷的产生以及内应力的增加等等。 射频溅射 假定靶上施加矩形波电压，在正半周由于绝缘体的极化作用，其表面很快地吸引了等离子体中位于绝缘体表面附近的电子，使表面和等离子体的电位相同。 在电源的负半周，绝缘体靶表面实际的电位的最低点近似等于靶上所加负电压的两倍，此时离子射向绝缘体靶的表面发生溅射现象，由于离子比电子质量大，迁移率小，不象电子那样很快地向靶表面集中，所以靶表面的电位上升缓慢或者说由电子充电的电容器放电缓慢。 掩模的加工与保持 按照上述的蒸镀等方法在全基板表面上镀膜后，用丝网印制术印刷或者将光刻胶在基板上形成正像，然