* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 釉烧温度 升高釉烧温度可能反应更彻底,釉层更透明,但会出现两种现象:一为釉层流失,二釉料被瓷体大量吸收。同样不能保证釉层光洁度与致密性。 釉烧温度不宜过高,时间不宜过短,让其早可能达到反应充分,结构均匀,集体有一定渗透,交界处充分润湿。 封接用粘合釉的问题与金属-陶瓷封接一起叙述。 * 第五节 电子瓷与金属的封接(表面金属化) 陶瓷与金属的封接技术,最早应用于金属陶瓷电子管中,目前它在电子技术中应用范围巳日益扩大,除用作电子管、晶体管、集成电路、电容器、电阻器等元件外还用于微波设备,电光学装置,及其它高功率大型电子装置中。 从封装材料、工艺条件、结构方式上看,基本上可分为三种类型:即玻璃釉封接、金属化焊料封接,以及活化金属封接。 * 要求 (1)热稳定性好,能够承受高温和热冲击的作用,具有合适的线胀系数?l; (2)可靠性高,包括
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