SiC功率半导体器件的优势和发展前景(刘)(2015).pptVIP

三相光伏逆变器 B6-Bridge 750 7 kW 开关频率：16.6 kHz 功率半导体器件 IGBT 2 (BSM15GD120DN2), IGBT 3 (FS25R12YT3), IGBT 4 (FS25R12W1T4) SiC-MOSFET (CNM 1009) 示例1 三相光伏逆变器效率 20年内IGBT将会和目前的SiC元件具有同样的性能 一台利用SiC晶体管7kW光伏逆变器的经济效益 能量增益 (每年) 最大再生能源发电补助/KWA 效率提高代来的增益 (每年) 效率提高带来的增益 (10年) 佛莱堡 (德国) 140KWh 0.45EUR 63EUR 630EUR 阿尔梅亚 (西班牙) 275KWh 0.44EUR 121EUR 1210EUR 马 赛 (法国) 250KWh 0.55EUR 137EUR 1370EUR 单相HERIC?-逆变器 H4-桥 + HERIC-开关管 350 5 kW 开关频率：16 kHz 功率半导体器件 IGBT: FGL40N120AND SiC Transistors: MOSFET (CNM 1009), JFET (SJEP120R063) SiC Diodes: C2D20120D 示例2 单相HERIC-Inverter效率 当M