其传输特性就受到影响而改变这种现象称为电光效应.pptVIP

电光调制的物理基础是电光效应，即某些晶体在外加电场的作用下，其折射率将发生变化，当光波通过此介质时，其传输特性就受到影响而改变，这种现象称为电光效应。;利用泡克耳斯效应实现电光调制可以分为两种情况。;1. 纵向电光调制（通光方向与电场方向一致） ;或采用复数表示， 即;y;(3.2-30)式中的T称为调制器的透过率。根据上述关系可以画出光强调制特性曲线。在一般情况下，调制器的输出特性与外加电压的关系是非线性的。;若调制器工作在非线性部分,则调制光将发生??变。为了获得线性调制，可以通过引入一个固定的 /2相位延迟，使调制器的电压偏置在T＝50％的工作点上。常用的办法有两种：;△?m = ?Vm/V? （相当于3.2-30式中的 △? ）是相应于外加调制信号vm的相位延迟。其中Vm sinωmt 是外加调制信号电压。;因此，调制的透过率可表示为;若取 ＝1rad， 则J1 (1)=0.44, J3(1)=0.02, 所以I3 /I 1 =0.045，即三次谐波为基波的4.5%。在这个范围内可以获得近似线性调制，因而取 ; sin(△?m sinωmt) 的△?m 若远远小于1， 则:;横向电光效应可以分为三种不同的运用方式： (1)沿z轴方向加电场，通光方向垂直于z轴，并与x或y 袖成45o夹角(晶体为45o-z切割)。 (2)沿x方向加电场(即电场方向垂直于x光袖)，通光方向垂宜于x铀，并与z轴成45o 夹角(晶体为45o -x切割)。 (3)沿y轴方向加电场，通光方向垂直于y轴，并与z轴成45o夹角(晶体为45o -y切割）。 ;因为外加电场是沿z轴方向，因此和纵向运用时一样，Ex=Ey=0, Ez=E，晶体的主轴 x, y 旋转45o 至 x’，y’，相应的三个主折射率如前面(3.2-17)式所示:;通光方向与z轴相垂直，并沿着y方向入射(入射光偏振方向与z袖成450角)，进入晶体后将分解为沿x’和z方向振动的两个分量，其折射率分别为nx’和nz；苦通光方向的晶体长度为L，厚度(两电极间距离)为d，外加电压V＝Ezd，则从晶体出射两光波的相位差; 由此可知，KDP晶体的γ63 横向电光效应使光波通过晶体后的相位差包括两项： 第一项是与外加电场无关的晶体本身的自然双折射引起的相位延迟，这一项对调制器的工作没有什么贡献，而且当晶体温度变化时，还会带来不利的影响，因此应设法消除(补偿)掉； 第二项是外加电场作用产生的相位延迟，它与外加电压V和晶体的尺寸(L/d)有关，若适当地选择晶体尺寸，则可以降低其半波电压。; KDP晶体横向电光调制的主要缺点是存在自然双折射引起的相位延迟，这意味着在没有外加电场时，通过晶体的线偏振光的两偏振分量之间就有相位差存在，当晶体因温度变化而引起折射率n0和ne的变化时，两光波的相位差发生漂移。;即一块晶体的y’和z轴分别与另一块晶体的z轴和y’轴平行(见图a）。另一种方法是，两块晶体的z轴和y’轴互相反向平行排列,中间放置一块1／2 波片(见图b)。这两种方法的补偿原理是相同的。外电场沿z轴(光轴)方向，但在两块晶体中电场相对于光轴反向，;因此，若两块晶体的尺寸、性能及受外界影响完全相同，则自然双折射的影响即可得到补偿。;其中括号内的就是纵向电光效应的半被电压，所以;由起偏器和电光晶体组成。起偏器的偏振方向平行于晶体的感应主轴x’(或y’)，此时入射晶体的线偏振光不再分解成沿x’、y’两个分量，而是沿着x’(或y’)轴一个方向偏振，故外电场不改变出射光的偏振状态，仅改变其相位，相位的变化为 ;这里的 因为光波只沿x’方向偏振，相应的折射率为 。若 外加电场是 , 在晶体入射面(z＝0)处的光场 ，则输出光场(z＝L处)就变为 略去式中相角的常数项，因为它对调制效果没有影响，则上式写成