利用ICP-MS对太阳能（光伏）级硅块进行超痕量分析.PDFVIP

利用ICP-MS 对太阳能 （光伏） 级硅块进行超痕量分析 应用简报 半导体 作者 摘要 unichi Takahashi 本文介绍了一种使用Agilent 7500cs ICP-MS 测定光伏级硅中存在的超痕量 安捷伦科技公司 元素杂质的新型定量方法。硼 （挥发性元素）和磷 （受 Si 基干扰）对该行 Tokyo Analytical Division 业尤其重要；因此，为了利用ICP-MS 分析这些元素，应特别注意样品预处 9-1 Takakura-cho 理阶段。在验证样品前处理策略的过程中，所有元素均获得了良好的回收 Hachioj i, Tokyo 192-0033 率。提供了13 种不同Si 样品中存在的一系列元素的示例数据，以及检测限 apan 列表。可以测定固体中低至ppb 级的B 和P，并可以测量ppt 级所研究的其