COMSIC制造工艺流程.pptVIP

Figure 7 - 第七章 COMS IC 制造工艺流程 主要内容 1. 典型的亚微米 CMOS IC 制造流程图； 2. 描述 CMOS 制造工艺14个步骤的主要目的； 4. 讨论每一步 CMOS 制造流程的关键工艺。 CMOS工艺流程中的主要制造步骤 CMOS 制作步骤 1. 双井工艺 2. 浅槽隔离工艺 3. 多晶硅栅结构工艺 4. 轻掺杂漏(LDD)注入工艺 5. 侧墙的形成 6. 源/漏（S/D）注入工艺 7. 接触孔的形成 8. 局部互连工艺 9. 通孔1和金属塞1的形成 10. 金属1互连的形成 11. 通孔2和金属2的形成 12. 金属2互连的形成 13. 制作金属3、压点及合金 14. 参数测试 一、双井工艺n-well Formation 1）外延生长2）厚氧化生长 保护外延层免受污染；阻止了在注入过程中对硅片的过渡损伤；作为氧化物屏蔽层，有助于控制注入过程中杂质的注入深度。3）第一层掩膜4）n井注入（高能）5）退火 p-well Formation1）第二层掩膜2） P井注入(高能)3）退火 二、浅曹隔离工艺STI 槽刻蚀1）隔离氧化层2）氮化物淀积3）第三层掩膜，浅曹隔离4）STI槽刻蚀（氮化硅的作用：坚固的掩膜材料，有助于在STI氧化物淀积过程中保护有源区；在