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半導體製程簡介 部 門 ASI / EOL 報告人 Saint Huang 半導體製造流程 半導體製程分類 I. 晶圓製造 II.晶圓處理 III.晶圓針測 IV.半導體構裝 V.半導體測試 I.晶圓製造 晶圓製造流程 晶圓材料 分類: 元素半導體 : 矽,鍺 化合物半導體 : 碳化矽(SiC),砷化鎵(GaAs) 矽的優缺點 : 優點:存量豐富,無毒,穩定之氧化鈍態層,製造成本低 缺點:電子流動率低,間接能階之結構 多晶矽原料製造(西門子法) 單晶生長技術 柴氏長晶法 : 82.4% 磊晶法 : 14.0% 浮融帶長晶法 : 3.3% 其它 : 0.2% (1993年市場佔有率) 長晶程序(柴式長晶法) 矽金屬及摻雜質的融化(Meltdown) 頸部成長(Neck Growth) 晶冠成長(Crown Growth) 晶體成長(Body Growth) 尾部成長(Tail Growth) 柴氏長晶法示意圖 單晶成長流程圖 晶柱後處理流程 晶圓切片(Slicing) 晶圓切片流程 晶棒黏著 切片 晶圓清洗 規格檢驗 晶邊圓磨（Edge contouring） 目的 防止晶圓邊緣碎裂 防止熱應力之集中 增加光阻層在邊緣之平坦度 方式 輪磨 化學蝕刻 晶面抹磨 輪磨示意圖 晶面研磨(Lapp