哈尔滨工业大学－微电子工艺基础绪论（王静）.pptVIP

第1章 绪论 一、微电子产业 4、微电子工艺的发展概况（1）平面工艺的诞生 ②生长结方法 半导体单晶是由掺有某种杂质（例如P型）的半导体熔液中生长出来的。 在生长过程中的某一时刻，突然改变熔融液的P/N型。 第1章 绪论 一、微电子产业 4、微电子工艺的发展概况（1）平面工艺的诞生 ③扩散结和平面工艺***** 合金结的缺点： 不能准确控制pn结的位置。 生长结的缺点： 不适宜大批量生产。 扩散形成pn结 第1章 绪论 一、微电子产业 4、微电子工艺的发展概况（1）平面工艺的诞生 ③扩散结和平面工艺***** A 扩散结的形成方式 与合金结相似点 表面表露在高浓度相反类型的杂质源之中 与合金结区别点 不发生相变，杂质靠固态扩散进入半导体晶体内部 B 扩散结的优点 扩散结结深能够精确控制。 第1章 绪论 一、微电子产业 4、微电子工艺的发展概况（1）平面工艺的诞生 ③扩散结和平面工艺***** C 二氧化硅薄膜的优点 作为掩蔽膜，有效的掩蔽大多数杂质的扩散 提高半导体几何图形的控制精度 钝化半导体器件表面，提高了器件的稳定性。 第1章 绪论 一、微电子产业 4、微电子工艺的发展概况（1）平面工艺的诞生 ③扩散结和平面工艺***** 平面工艺： 利用二氧化硅掩蔽膜，通过光刻出窗口控制几