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LED制造工艺流程 工艺过程 技术路线 衬底制备 清洗:2h 光刻: 刻蚀:1h一炉(8片) 正胶 :腐蚀，去除被照的部分 负胶:剥离，去除被挡住的部分，后烘 刻蚀RIE和 ICP 以CF4刻蚀SiO2为例说明 刻蚀包括化学过程和物理过程，化学过程是指反应气体与被刻蚀物质的化学反应，物理过程是指离子在电场作用下对被刻蚀物质的物理轰击 e* + CF4 → CF3 + F + e 4F + SiO2(s) → SiF4(g) + 2O RIE (Reactive Ion Etching)反应离子刻蚀 外延材料生长 MOCVD 记编号 放片子 反应原理、反应方程式 外延层结构 外延片检测 PL机 半峰宽 主波长 台阶仪 清洗，去除有机物等BOE P面工艺 反射欧姆电极蒸镀Cr/Pt73产品 (Ag) Cr不与Ag形成欧姆接触，绝缘。Cr易氧化，粘附力差，Pt保护Cr， CrPt互补 蒸发台: 温度 厚度 压力 功率 速度 蒸发前清洗 80℃王水煮40min冲水10min后 HCl:H2O=1:1 泡5min Ni/Ag蒸发 Ni粘附力好，但挡光，1埃 合金 P面电极图形 薄膜转移 灌蜡 堵住沟槽，保护Ag 金锡邦定 金金邦定不牢，表面不干净，因在邦定前不能用H2SO4泡（Ag不允许） 去沟槽，去蜡 丙酮超声 剥离