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2019-08-04 发布于天津
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光刻区缺陷管理.doc

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光刻区缺陷管理作者张赞彬美国科天中国公司半导体国际中国半导体制造业的技术权威网站点击浸没式光刻和亚波长光刻技术的引进光刻变得更为复杂随着光阻厚度变薄和亚波长透镜的使用对缺陷缺陷进行有效管理的需求逐渐增加本文侧重于用缺陷检测检测方式和显影后宏观和微观缺陷检测方式对光刻缺陷进行监控以减少缺陷产生光刻区使用的亚微米技术对缺陷管理的需求日益增大在亚波长和低介电常数光刻技术下聚焦曝光的工艺工艺窗口减小这就对光刻机台的稳定性有更高的要求光刻单元由光阻的涂胶表面处理光阻涂布去边和软烤对准曝光和显影曝光后烘烤显

光刻区缺陷管理作者：张赞彬美国科天中国公司 -- 半导体国际 - 中国半导体制造业的技术权威网站 2006-12-26 点击:49 浸没式光刻和亚波长光刻技术的引进，光刻变得更为复杂；随着光阻厚度变薄和亚波长透镜的使用，对 \o 缺陷缺陷进行有效管理的需求逐渐增加。本文侧重于用 \o PCM PCM (Photo Cell Monitoring) 缺陷 \o 检测检测方式和显影后宏观和微观缺陷检测方式，对光刻缺陷进行监控，以减少缺陷产生。　　光刻区使用的亚微米技术对缺陷管理的需求日益增大。在亚波长和低介电常数光刻技术下，聚焦-曝光的 \o 工艺工艺窗口减小，这就对光刻机台的