单片机原理与应用第2章 MCS-51单片机的结构和原理.pptVIP

(3)EPROM型 可擦除可编程ROM（Erasable Programmable Rom）,其典型外观标志是芯片上有一个紫外线擦除窗口。这种存储器编程使用一定的直流电源（如+21V电压），而擦除则用紫外线灯光照射芯片窗口（一般需15～30分钟），重新编程后用不透明标签将窗口贴覆遮盖住即可。 目前仍有许多用户在单片机产品开发中用此类器件，但由于这种器件不是本质非易失器件（阳光或日光灯照射时间足够长也会擦除程序）、编程电压要求高、编程时间长等原因，应用范围正在萎缩，相信不久即会被新型器件替代。 MCS-51系列单片机8751的片内ROM以及27系列存储器芯片都属于此类产品。 2.3.1 程序存储器 * （4）E2PROM型 电可擦除可编程ROM（Electrically Erasable Programmable ROM），较新型只读存储器，编程速度较快且可在线改写，擦除、写入和读出电压均为+5V。 28系列存储器属于此类产品。 2.3.1 程序存储器 * (5)Flash ROM型 闪速只读存储器，是最新型的半导体只读存储器，其集成度、速度和易用性等远非传统ROM可比。在+5V电源下，改写时无需擦除操作，高端产品擦写速度可达ns级，已进入推广阶段。如ATMEL公司的AT89系列单片机中均集有容量不等的Flash ROM，是产品开发用的理想机种。 其唯一的缺点是可靠性尚需提高，若设计调试时用Flash ROM型产品，投入生产时改用OTPROM型，在目前应是最佳选择。 专门的Flash ROM器件，有93系列等。很多大规模可编程逻辑器件（如CPLD）在存储性质上与Flash ROM一致。 2.3.1 程序存储器 * 2. MCS-51系列单片机程序存储器的应用形态 MCS-51片内程序存储器为固定的只读存储器ROM。如8051中含有4KB容量的掩膜ROM，8751中含有4KB容量的EPROM，89C51中含有4KB容量的Flash ROM。 8031/8032中不设程序存储器，这种单片机在供应状态上称为ROM Less型器件，使用过程中必须外扩ROM。 2.3.1 程序存储器 * . . . 程序存储器 (PC) 中断5 中断4 中断3 中断2 中断1 0000H 0001H 0002H 0003H 000BH 0013H 001BH 0023H 002BH 定时器1中断 外部中断0 定时器0中断 外部中断1 串行口中断 8位 0FFFH 0FFEH 0000H FFFFH (64K) 0000H 0FFFH (4K) 内部 EA=1 程序存储器资源分布 中断入口地址 外部 EA=0 2.3.1 程序存储器 引脚接高电平时，CPU可访问内部和外部ROM，且程序自片内程序存储器开始执行，PC值超出片内ROM容量时，会自动转向片外程序存储器中的程序。 * 3.程序存储器中的特定程序入口 ROM地址 功能分配 ROM地址 功能分配 0000H 系统复位或非屏蔽中断 0013H 外部中断1中断服务程序入口 0003H 外部中断0中断服务程序入口 001BH 定时器/计数器1中断服务程序入口 000BH 定时器/计数器0中断服务程序入口 0023H 串行口中断服务程序入口 2.3.1 程序存储器 * 0000H FFFFH (64K) 外部 数据存储器 00H FFH 7FH 80H (高128B) (低128B) 内部 RAM 专用寄存器 0组 R0 R7 R0 R7 R0 R7 R0 R7 1组 2组 3组 工作寄存器区 可位寻址区 20H 2FH 7F 78 07 00 30H 7FH 数据缓冲区/堆栈区 内部RAM存储器 18H 1FH 10H 17H 08H 0FH 00H 07H 2.3.2 内部数据存储器 RS1 RS0 0 0 0组 0 1 1组 1 0 2组 0 1 3组 * 2.3.2 内部数据存储器 2FH 2EH 2DH 2CH 2BH 2AH 29H 28H 27H 26H 25H 24H 23H 22H 21H 20H 7F 77 6F 67 5F 57 4F 47 3F 37 2F 27 1F 17 0F 07 MSB 位地址 LSB 7E 76 6E 66 5E 56 4E 46 3E 36 2E 26 1E 16 0E 06 7D 75 6D 65 5D 55 4D 45 3D 35 2D 25 1D 15 0D 05 7C 74 6C 64 5C 54 4C 44 3C 34 2C 24 1C 14 0C 04 7B 73 6B 63 5B 53 4B 43