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- 2019-08-04 发布于天津
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5゜ 作用:与库仑力产生的施主电子波尔半径可达 15 ~ 90?不同,等电子 陷阱俘获电子的波函数局域在 2 ~ 4 ? 左右,因此由?x·?k = π 可知 其波矢将扩展至整个布区 → 间接带隙也可有显著的带间光学跃迁几率 GaP 中的 N 在绿色和红色发光二极管 (LED) 中起重要作用!! § 2.2, 缺陷与缺陷能级 晶体缺陷:晶体中周期排列被破坏的区域;形式包括,点、线、面缺陷 1,点缺陷: 1゜空位:晶格中格点缺失原子处,称为空位 2゜间隙原子:晶格格点间嵌入的原子,称为间隙原子 3゜广义点缺陷:包括置换式杂质和间隙式杂质 4゜点缺陷的形成: 原子热振动 → 能量涨落 → 少数原子具有高能量 → 脱离格点形成缺陷 5゜缺陷的平衡浓度No:对任意T →有No →对应系统的最低能量!!! 第三章 半导体平衡载流子的统计分布 且遵守类似自由电子的方程: 电子波函数的包络(2-3) *对Ⅲ 族取代Si,上述关系也适用于空穴→(采用有效质量近
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