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- 2019-08-02 发布于天津
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次に、R2の両端の電圧を計算する。 バイアス電圧を求める。 ベース、接地間の電圧は、VR2+VBEであるので また、VBEは、0.6Vから0.7V程度であるので2.76+0.7=3.46V この電圧をR3、R4の分圧で作るものとすると次式が成り立つ 上の式より、R4=6.35kΩとなる通常は、R4に流れる電流はIBの20倍以上を選ぶ また、一般にトランジスタのVBEは、温度変化にたいして-0.25mV/℃の変化があり温度上昇とともに、VBEが下がりIBが増加するIBが増加するとICが増加しR2の両端電圧があがりIBの増加を減らす動作をして温度補償的動作を行う。よってこのバイアス回路を電流帰還バイアスという。 3.2.3 1石低周波増幅回路のシミュレーションをしよう。 General?Sources?+V 10V Place General?Instruments?Signal Gen 10mV?Place 以下省略 Analyses Setup シュミレーションで電圧増幅度は いくつぐらいか確かめよう! 入力電圧 出力電圧 3.2.4 周波数特性を見よう Anaiyses Setup選択 ACチェックをいれACをクリツク スタート周波数1Hz 最終周波数100KHz Octaveにチェック OK をクリックして右のLogにチェック 3.3 トランジスタ回路例 移相発振器
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