MEMS第四章热氧化.pptVIP

* 第 4 章 热氧化 热氧化的目的 在 Si 衬底的表面生长一层 SiO2 薄膜。 SiO2 薄膜的用途 1、用作选择扩散时的掩蔽膜； 2、用作离子注入时的掩蔽膜及缓冲介质层等； 3、用作绝缘介质（隔离、绝缘栅、多层布线绝缘、电容介质等）； 4、用作表面保护及钝化。 制备 SiO2 薄膜的方法 热氧化、化学汽相淀积（CVD）、物理汽相淀积（PVD）、离子注入氧化、阳极氧化等。 热氧化的基本原理：在 T = 900 ~ 1200 oC 的高温下，利用硅与氧化剂之间的氧化反应，在硅衬底上形成 SiO2 薄膜。 氧化剂可以是纯氧 O2（干氧氧化）、水蒸汽 H2O（水汽氧化）或氧和水蒸汽的混合物 O2 + H2O（湿氧氧化）。 4.1 迪尔和格罗夫氧化模型 滞流层（附面层）的概念 将从衬底表面气体流速 v = 0 处到 v = 0.99 v0 处之间的这一层气体层称为滞流层。式中 v0 为主气流流速。 主气流，v0 氧化剂 基座 滞流层 x y L Cg Cs Cs/ = Co Ci tox 1、氧化剂从主气流穿过滞流层扩散到 SiO2