电子器件可靠性评价与分析技术进展课件.ppt

以失效分析为目的的电测技术 电测在失效分析中的作用 重现失效现象，确定失效模式，缩小故障隔离区，确定失效定位的激励条件，为进行信号寻迹法失效定位创造条件 电测的种类和相关性 连接性失效、电参数失效和功能失效 精选 * 电子元器件失效分析的简单实用测试技术（一） 连接性测试：万用表测量各管脚对地端/电源端/另一管脚的电阻，可发现开路、短路和特性退化的管脚。电阻显著增大或减小说明有金属化开路或漏电部位。 待机(stand by)电流测试:所有输入端接地（或电源），所有输出端开路，测电源端对地端的电流。待机(stand by)电流显著增大说明有漏电失效部位。待机(stand by)电流显著减小说明有开路失效部位。 精选 * 电子元器件失效分析的简单实用测试技术（二） 各端口对地端/电源端的漏电流测试（或I——V测试）,可确定失效管脚。 特性异常与否用好坏特性比较法确定。 精选 * 待机(stand by)电流显著减小的案例 由于闩锁效应某EPROM的两条电源内引线之一烧断。 精选 * 待机(stand by)电流偏大的案例TDA7340S音响放大器电路 用光发射显微镜观察到漏电部位 精选 * 由反向I－V特性确定失效机理 精选 * 由反向I－V特性确定失效机理 直线为电阻特性，pn结穿钉，属严重EOS损伤。 反向漏电流随电压缓慢增大，pn结受EOS损伤或ESD损伤。 反向击穿电压下降，pn结受EOS损伤或ESD损伤。 精选 * 由反向I－V特性确定失效机理 反向击穿电压不稳定：芯片断裂、芯片受潮 烘烤变化与否可区分离子沾污和静电过电失效 精选 * 烘焙技术 1应用范围：漏电流大或不稳定、阻值低或不稳定、器件增益低、继电器接触电阻大 2用途：确定表面或界面受潮和沾污 3方法：高温储存、高温反偏 精选 * 清洗技术 应用范围：离子沾污引起的表面漏电 用途：定性证明元器件受到表面离子沾污 方法：无水乙醇清洗 去离子水冲洗（可免去） 烘干 精选 * 烘焙和清洗技术的应用举例 彩电图像模糊的失效分析 精选 * 烘焙和清洗技术的应用举例 双极型器件的反向靠背椅特性是钝化层可动离子沾污的结果，可用高温反偏和高温储存来证实。 精选 * 失效分析的发展方向 失效定位成为关键技术 非破坏 非接触 高空间分辨率 高灵敏度 精选 * 无损失效分析技术 无损分析的重要性 (从质检和失效分析两方面考虑) 检漏技术 X射线透视技术 用途：观察芯片和内引线的完整性 反射式扫描声学显微技术 用途：观察芯片粘接的完整性，微裂纹，界面断层 精选 * 检漏技术 粗检：负压法、氟碳加压法 细检：氦质谱检漏法 精选 * 负压法检漏 酒精 接机械泵 精选 * 氟碳加压法 FC43 沸点180C F113沸点47.6C 加热至125C 精选 * X射线透视与反射式声扫描比较 精选 * X射线透视举例 FPGA电源内引线烧断 精选 * C－SAM像举例 功率器件芯片粘接失效 塑封IC的管脚与塑料分层 精选 * 样品制备技术 种类：打开封装、去钝化层、去层间介质、抛切面技术、去金属化层 作用：增强可视性和可测试性 风险及防范：监控 精选 * 打开塑料封装的技术 浓硫酸和发烟硝酸腐蚀法 精选 * 去钝化层的技术 湿法：如用HF：H2O＝1：1溶液去SiO2 85％ HPO3溶液，温度160C去 Si3N4 干法：CF4和O2气体作等离子腐蚀去SiNx和聚酰亚胺 干湿法对比 精选 * 去钝化层的监控 观察压焊点 精选 * 去层间介质 作用：多层结构芯片失效分析 方法：反应离子腐蚀 特点：材料选择性和方向性 结果 精选 * 腐蚀的方向性 无方向性：金属互连失去依托 有方向性：金属互连有介质层作依托 精选 * 去金属化Al层技术 作用 配方：30％HCl 或 30％H2SO4 KOH 、NaOH溶液 应用实例：pn结穿钉 精选 * 抛切面技术 环氧固化、剖切、研磨 精选 * 形貌象技术 光学显微术：分辨率3600A，倍数1200X 景深小，构造简单 对多层结构有透明性，可不制样 扫描电子显微镜：分辨率50A，倍数10万 景深大，构造复杂 对多层结构无透明性，需制样 精选 * 以测量电压效应为基础的失效定位技术 用途：确定断路失效点位置 主要