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5.3.3 JFET电路的小信号模型分析 2. 应用例子 +VDD RD C1 C2 R1 ui uo R2 Rg 解：(3) 求AV、ri、 ro 例： Rg的分流忽略 本节自学 ? 基极分压式 5.5.1 各种FET的特性及使用注意事项 5.5.2 各种放大器件电路性能比较 ? 各种FET特性比较 ? 使用注意事项 5.5.1 各种FET的特性及使用注意事项 1. 特性比较 请参阅教材P237，表5.5.1 5.5.1 各种FET的特性及使用注意事项 2. 使用注意事项 ① J/MOSFET通常制成D-S极可互换，特性曲线没有明显变化。但S极已与衬底相连时则不可。 ② J/MOSFET在储存和焊接时，必须注意防静电的保护问题，G-S极间需提供必要的保护。 5.5.2 各种放大器件电路性能比较(p236) BJT FET CE： CS： CB： CG： CC： CD： CB： CG： CC： CD： CE： CS： 1. 输入电阻 2.输出电阻 5.5.2 各种放大器件电路性能比较 3. 应用例子 例：电路如图。已知gm=18mS，b =100，rbe =1kW，求：AV、ri、 ro 。 解：首先画出交流等效电路 +VCC RC C1 C2 R1 ui uo R2 Rg Rb1 Rb2 Rs Vs 5.5.2 各种放大器件电路性能比较 3. 应用例子 例： 解：交流等效电路如图 +VCC RC C1 C2 R1 ui uo R2 Rg Rb1 Rb2 Rs Vs 5.5.2 各种放大器件电路性能比较 3. 应用例子 解：根据交流等效电路 5.5.2 各种放大器件电路性能比较 3. 应用例子 解：根据交流等效电路 输入电阻大的好处 Rs Vs ? 场效应管的工作原理、输出特性和转移特性 ? 场效应管放大电路的组成、工作原理和特点 ? 静态分析和基于小信号模型的动态分析 ? 场效应管是压控型放大器件，输入阻抗高，常做前置输入级 本章小结 End of §5 ！ 模电演义领衔主演：李 震 饰 …………………… 二极管李彩林 饰 …………………… 三极管BJT韦寿祺 饰 …………………… MOSFET 莫金海 饰 …………………… 运算放大器 罗 奕 饰 …………………… 搞搞震器王 红 饰 …………………… 功率放大器 群众演员： 12级电气全体友情演出： 其他选修者导演音响： Goldsea 饱和区 电阻区 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 3. V-I 特性曲线 P N N UDS UGS G S D ID 截止区 iD/mA UDS/V ? 输出特性： 截止区 iD/mA UDS/V 电阻区 饱和区 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 3. V-I 特性曲线 iD/mA UGS/V VDS=10V 二次函数 ? 转移特性： VP：夹断电压 5.1.5 MOSFET主要参数 ① 夹断电压VP (或VGS(off))：ID= 0 时的VGS值 ； ② 饱和漏极电流 IDSS：VGS= 0 时对应的ID； ③ 低频跨导 gm：反映vGS对iD的控制作用（交流）。可在转移特性曲线上求得，单位mS； ④ 输出电阻 rd： ⑤直流输入电阻RGS：在109～1015Ω之间，非常大。 5.1.5 MOSFET主要参数 ⑥ 最大漏源电压V(BR)DS： ⑦ 最大栅源电压V(BR)GS： ⑧ 最大漏极功耗PDM： 5.2.1 MOSFET放大电路 5.2.2 CMOS共源放大电路* ? Q点计算 ? 图解法 ? 小信号模型分析 5.2.0 概述 1. 组成原则： (1) 静态：适当设置Q点，使场效应管工作在恒流区，场效应管的偏置电路相对简单。 (2) 动态：能为交流信号提供通路。 静态分析：估算法、图解法。 动态分析：微变等效电路法。 2. 分析方法： 5.2.1 MOSFET放大电路 1. Q点计算 Rg1 +VDD RD C1 C2 Rg2 RL vi vo 共源放大电路！ 特点！ 5.2.1 MOSFET放大电路 1. Q点计算 例题：放大电路如图，MOS管参数：VT =1V，Kn=500m A/V2，ID = 0.5 mA。若流经Rg1、Rg2的电流为0.1ID。求Rg1、Rg2。 Rg1 +VDD RD C1 C2 Rg2 RS vi vo -VSS 解： 设工作与放大区，则： 5.2.1 MOSFET放大电路 2. 图解分析 +VDD RD vi vo iD/mA UDS iD 5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析 vgs vds 很