IRF540中文数据手册.docVIP

. . IRF540 N沟道MOS管 特性 ‘Thrench’工艺 低的导通内阻 快速开关 低热敏电阻 综述 使用沟渠工艺封装的N通道增强型场效应功率晶体管 应用： DC到DC转换器 开关电源 电视及电脑显示器电源 IRF540中提供的是SOT78(TO220AB)常规铅的包裹。 IRF540S中提供的是SOT404(D PAK)表面安装的包裹。 管脚 管脚 描述 1 Gate 2 Drain 3 Source Tab Drain 极限值 系统绝对最大值依照限制值 符号 参数 条件 最小值 最大值 单位 V_DSS V_DGR V_GS I_D I_DM P_D Tj，Tsig 漏源极电压 漏门极电压 门源极电压 连续漏电流 脉冲漏电流 总功耗 操作点和 存储温度 Tj= 25 ?C to 175?C Tj = 25 ?C to 175?C; RGS = 20 k? Tmb = 25 ?C; VGS = 10 V Tmb = 100 ?C; VGS = 10 V Tmb = 25 ?C Tmb = 25 ?C - - - - - - - -55 100 100 ±20 23 16 92 100 175 V V V A A A W ℃ 雪崩能量极限值 符号 参数 条件 最小值 最大值 单位 非重复性雪崩能量 最大非重复性雪崩电流 Unclamped induct