弛豫铁电单晶PZNT的结构相变与热释电性能分析.pdfVIP

中 文 摘 要 弛豫铁电单晶Pb(Zn Nb )O -PbTiO （PZNT ）因为具有优异的介电、 1/3 2/3 3 3 压电和铁电性能成为铁电领域的研究热点之一，有望在机电领域大放异 彩。 本论文使用的PZNT 单晶是使用异质同构的Pb(Mg Nb )O -PbTiO 1/3 2/3 3 3 单晶做籽晶、通过改进的Bridgman 法生长，研究不同组成的PZNT 单晶 （PZNT85/15 、PZNT91/9 、PZNT95/5 ）的介电性能、压电性能、铁电性 能、热释电性能、电畴组态及光学性能。 不同组成的 PZNT 单晶都呈现较纯的钙钛矿结构，没有杂相存在。 随着PbTiO3 （PT ）含量的增加，PZNT 单晶发生成分诱导的结构相变， 晶体结构从三方相结构、经过MPB 向四方相结构连续变化。 室温下，准同型相界附近的PZNT91/9 单晶的介电常数最大，介电损 耗最小。PZNT95/5 单晶的介电温谱只有一个较宽的介电峰，显示出明显 的频率弥散现象，接近于弛豫铁电体。PZNT91/9 单晶的介电温谱出现了 两个介电峰，说明存在三方- 四方、四方-立方两个结构相变。PZNT85/15 单晶的介电温谱只有一个较尖锐的介电峰，没有明显的频率色散现象， 接近于正常铁电体。PZNT 单晶极化后诱导出新的介电峰，与极化样品升 温过程的电畴取向或微畴-宏畴转变有关。 PZNT85/15 单晶的电滞回线接近矩形，剩余极化和矫顽场较大。 PZNT95/5 单晶的电滞回线较为狭长，有较大的剩余极化强度和较小的矫 顽场。PZNT91/9 单晶的电滞回线介于两者之间。PZNT85/15 单晶(001) 晶片的 d33 为 530-570pC/N ，PZNT95/5 单晶(001) 晶片的 d33 为 1120-1180pC/N，PZNT91/9 单晶(001) 晶片的d33 为2500pC/N ，远优于其 他两种组分，表明准同型相界附近的组成具有优异的压电性能。 PZNT 单晶室温性能稳定，易于加工，作为热释电材料使用时最高使 用温度可以达到 70℃。室温下PZNT95/5 、PZNT91/9 、PZNT85/15 单晶 2 的热释电系数分别为 458 、1713、460C/m ·K。随着温度的升高，热释 电系数几乎线性增加，表明热稳定性有待改善。 PZNT91/9 单晶中三方相和四方相共存，随着温度的升高，出现三方 相- 四方相的电畴转变，当温度高于居里温度时，电畴消失。 在红外区间，不同组成的 PZNT 单晶产生不同的吸收中心。高频区 间的吸收带是非对称的，存在高频拖尾现象，半峰宽较宽，与 [Zn Nb ]/Ti-O 的正常“stretching ”振动有关。低频区间的吸收带，与 1/3 2/3 [Zn Nb ]/Ti-O 的正常“bending ”振动有关。由于晶体组分的变化，红 1/3 2/3 外吸收中心、吸收带发生变化，与(Zn Nb )4+取代Ti4+导致的晶胞参数、 1/3 2/3 晶体结构及晶格能的变化有关。PZNT 单晶在紫外-可见光区呈现较高的 透过率，不同组成的PZNT 单晶在480nm 以上都没有明显的吸收，透射 吸收边在380nm 左右，对应着较低的电子能带间隙~3.16eV 。PZNT 单晶 的升温红外光谱对应着B-O 键或B-O-B 键的振动。随着温度的升高，红 外吸收峰的数量、位置、形状、相对强度发生连续的变化，与温度诱导 的结构相变有关。不同组成、不同位置的PZNT 单晶呈现相似的拉曼吸 收光谱，表明生长的PZNT 单晶具有较高的均匀性。中