初始应力对垂直结构GaN基LED光电性能影响的分析.pdfVIP

摘要 摘 要 GaN 基LED 作为照明光源既节能又环保，开启了人类照明的新时代，已经 与人们的生活息息相关，因此2014 年诺贝尔物理奖授予了GaN 基LED 的相关 研究成果。目前，商品化的GaN 基LED 按外延衬底划分共有三条技术路线，分 别是：碳化硅(SiC)、蓝宝石(Al2O3)及硅(Si)衬底技术路线．蓝宝石衬底LED 市 场份额最大，碳化硅衬底LED 的市场占有率居中，硅衬底LED 尽管市场占有率 最小，但它的市场份额正在逐渐扩大且应用越来越广泛。尽管硅衬底技术路线具 有一定局限性，人们还不清楚它将来是否会成为主流技术，但由于它具有诸多显 著优点，目前已经成为LED 领域的一大研究热点。硅衬底会吸收可见光以及硅 衬底上外延的 GaN 基 LED 薄膜存在巨大的张应力，因此实用化的硅衬底 LED 均是采用邦定和湿法腐蚀相结合的技术将GaN 基LED 薄膜从外延衬底剥离转移 到新的支撑基板上做成垂直结构的芯片。硅衬底GaN 基LED 薄膜存在巨大的外 延张应力，在剥离转移到新基板后应力会得到一定程度的释放已有报道，然而， 是否可以将硅衬底GaN 基LED 薄膜应力先完全释放后再邦定到支撑基板上做成 垂直结构的芯片以及其光电性能是否会得到改善目前还没有报道。尽管三条技术 路线的垂直结构LED 均已实现商品化并获得了广泛应用，而且转移到新基板后 应力的微小变化就会对GaN 基LED 的光电性能产生明显影响，然而同种衬底上 相同结构的LED 薄膜在转移到新的支撑基板时应该处于怎样的初始应力状态才 能使其光电性能发挥到最佳目前还是研究空白。 本文将外延结构相同的GaN 基LED 薄膜分别直接邦定和应力释放后再邦定 到新的支撑基板上，获得了多种初始应力不同的垂直结构LED 芯片，并对其光 电性能进行了研究。 1、当LED 薄膜用有机柔性粘结层与基板粘结在一起，去除硅衬底后，LED 薄膜所受来自于硅衬底的张应力基本会被完全释放。 2 、直接邦定和释放应力后再邦定的芯片其LED 薄膜的张应力均会得到释放， 其中释放应力后再邦定获得的芯片其张应力释放较为彻底，而直接邦定得到的芯 片其张应力释放较小。 3、在制备Si 衬底垂直结构GaN 基LED 芯片的过程中，直接邦定的芯片其 LED 薄膜所受张应力状态会逐渐减小，而释放应力后再邦定的芯片刚好相反。 4 、垂直结构LED 芯片的发光性能不仅仅会受LED 薄膜初始应力的影响， 而且还会受LED 薄膜和支撑基板之间金属邦定层的影响。 5、释放应力再邦定的芯片尽管阱层受到的压应力大于直接邦定的芯片，然 II 摘要 而通过EQE 归一化处理后，四种芯片的电流Droop 效应相同。 关键词：硅衬底；绿光LED ；量子阱；应力；光电性能 III Abstract ABSTRACT GaN-based LED as the illumination photosource is both energy saving and environmental friendly. It has opened up a new era of human illumination and has been closely linked with peoples lives so that the Nobel physics prize was awarded to the relevant research achievement of GaN-based LED in 2014. At present, the commercialization of GaN-based LED epitaxial subs