SJT 11226-2000 电子元器件详细规范 3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管.pdfVIP

ICS 31.080.30 L42 备案号:7559一 2000 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T 11226 2000 电子元器件详细规范 3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管 Detail specification for electronic components Type 3DA505 L band silicon pulse power transistor 2000-08-16发布 2000-10-01实施 标准分享网 免费下载 中华人民共和国信息产业部 发布 前 言 本规范是按照GB/T 7576-1998《半导体器件 分立器件 第7部分 双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型品体管空白详细规范》(idt IEC 747-7-4: 1991)标准制 订的，符合GB/r 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》( idt IEC 747-10: 1984)和GBa 12560-1999 《半导体器件 分立器件分规范))) (idt IEC 747-11: 1996)的11类要求。 本规范由信息产业部电子工业标准化研究所归口。 本规范起草单位:信息产业部电子工业标准化研究所。 本规范主要起草人:赵 英、顾振球。 标准分享网 免费下载 中华人民共和国电子行业标准 电子元器件详细规范 3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管 SJ/T 11226-2000 Detail specification for electronic components 介pe 3DA505 L band silicon pulse power transistor 本规范适用于3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管，它是按照GBIT 7576-1998《半 导体器件 分立器件 第7部分 双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶 体管空白详细规范》标准制订的，符合 GBrr 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和 集成电路总规范》和GB/T 12560-1999《半导体器件 分立器件分规范》的ii类要求。 本规范引用的标准有GB/T 4587-1994《半导体分立器件和集成电路 第7部分 双 极型晶体管N. GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》、GB/T 4937-1995《半导体器件机械和气候试验方法》和 GJB 128A-97 《半导体分立器件试 验方法》。 中华人民共和国信息产业部2000-08-16发布 2000-10-01实施 标准分享网 免费下载 一 t一 SJ/T 11226-2000 中华人民共和国信息产业部 评定电子元器件质量的依据: GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总 规范》 Si厅 11226-2000 GB/P 12560-1999 《半导体器件 分立器件分规范》 3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管详细规范 订货资料:见本规范第7章。 1.机械说明 2.简要说明 外形图: