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万方数据
Dissertation Submitted to
Hebei University of Technology
for
The Master Degree of
Materials Physics and Chemistry
THE RESEARCH OF THE PREPARATION
AND PROPERTIES OFp -TYPE
SEMICONDUCTOR CaFe O DOPING
2 4
WITH TRANSITION METAL
by
Sun Huijie
Supervisor: Prof. Meng Fanbin
May 2015
This work supported by the National Natural Science Foundation of
China. No.
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摘 要
随着社会的不断发展，铁氧体材料的应用领域越来越广泛，可以用于光催化材料、
吸波材料、太阳能转换材料以及电极材料等。铁氧体材料大多是四方结构的n 型半导
2+ 3+
体或者绝缘体，但CaFe O 是具有斜方的晶体结构的p 型半导体，并且Ca 和Fe 都
2 4
很容易被其他金属离子替代，从而导致CaFe O 的电磁输运性质发生变化。
2 4
本论文采用溶胶凝胶法制备了过渡金属元素Zn 和Cr 掺杂p 型半导体CaFe O 粉
2 4
末，并对Ca Zn Fe O 和CaCr Fe O 的结构及电磁输运性质进行了研究，主要内容
1-x x 2 4 x 2-x 4
如下：
实验采用凝胶溶胶法以柠檬酸为络合物制备了Ca Zn Fe O 的反应前驱体，然后
1-x x 2 4
在空气中1000 ℃烧结3 小时，即可得到粉末样品。X 射线衍射结果表明当x = 0.05
时，已经出现了第二相ZnFe O ，这说明Zn 在CaFe O 晶格中的掺杂浓度很低。
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