模拟电子技术第9章功率放大电路.pptVIP

2．二次击穿的影响 iC uCE 0 B A 二次击穿 一次击穿 S/B曲线 二次击穿现象 二次击穿临界曲线 iC uCE 0 1. V型NMOS管的结构 结构剖面图 9.3.2 功率MOSFET S 源极 G 栅极 金属 源极 S i O2 沟道 沟道 外延层 衬底 D 漏极 _ N + P P N N + N + 2. V型NMOS管的主要特点 （1）开关速度高 （2）驱动电流小 （3）过载能力强 （4）易于并联 9.3.3 绝缘栅双极型晶体管（IGBT） IGBT等效电路 D T1 G S R T2 IGBT电路符号 G S D T 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的主要特点： （1）输入阻抗高 （2）工作速度快 （3）通态电阻低 （4）阻断电阻高 （5）承受电流大 兼顾了MOSFET和BJT的优点，成为当前功率半导体器件发展的重要方向。 外壳c 集电结j 散热器s R ( t h ) j c R ( t h ) c s R ( t h ) s a 环境a 9.3.4 功率器件的散热 晶体管的散热示意图 导电回路（电路） 散热回路（热路） 参 量 符 号 单 位 参 量 符 号 单位 电 压 U V 温 差 ΔT oC 电 流 I A 最大允许功耗 PCM W 电 阻 R Ω 热 阻 RT oC/W 功率器件的散热分析方