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晶硅太阳能电池加工工艺 晶硅电池生产工艺流程 硅片检测 磷扩散 PECVD 丝网印刷 烧结 1 3 5 6 7 清洗制绒 2 洗磷刻蚀 4 检测分选 8 目录 PECVD工艺 1 PECVD相关定义 2 PECVD减反射膜的作用 3 PECVD原理 4 减反射膜的种类及特点 工艺原理 1 2 PECVD工艺 PECVD --等离子增强的化学气相沉积 Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 等离子体--气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部分外层电子脱离原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合组成的一种形态，这种形态就称为等离子态。 近代科学研究的结果表明，物质除了具有固态、液态和气态的这三种早为人们熟悉形态之外，在一定的条件下，还可能具有更高能量的第四种形态——等离子体状态。普通气体由电中性的分子或原子组成，而等离子体则是带电粒子和中性粒子的集合体。等离子体和普通气体在性质上更是存在本质的区别，首先，等离子体是一种导电流体，但是又能在与气体体积相比拟的宏观尺度内维持电中性；其次，气体分子间不存在净电磁力，而等离子体中的带电粒子之间存在库仑力；再者，作为一个带电粒子体系，等离子体的运动行为会受到电磁场的影响和支配。因此，等离子体是完全不同于普通气体的一种新的物质聚集态。 PECVD工艺 PECVD工艺 为什么要做减反射膜 硅片经扩散到腐蚀周边工序后，已具备光电转换能力。但是，由于光在硅表面的反射使光损失约1/3，即使经绒面处理的硅表面，损失仍约为11%。为减少反射损失，根据薄膜干涉原理，在电池表面制作一层减反射膜，使电池短路电流和输出增加。 PECVD工艺 PECVD工艺 SiN膜的作用 减反射作用 照射到硅片上的光有相当一部分会被反射掉。如果在硅表面制备一层或多层薄膜，利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大为减少，这种膜称为太阳电池的减反射膜ARC(antireflection coating)。制备减反射膜后，电池的短路电流会有很大增加，转换效率相应也有很大提高。 PECVD工艺 钝化作用 PECVD沉积SiN膜时，反应产生的气体中含氢，因此沉积的薄膜中有较高的氢含量，氢会从SiN薄膜中释放，扩散到界面和硅中，最终与悬挂键结合，起到钝化作用。 PECVD沉积SiN薄膜会有一定程度的表面损伤，形成较多空位。空位能增强氢的扩散，和氢形成氢－空位对{V、H}＋。使氢更容易与缺陷及晶界处的悬挂键结合，从而减小界面态密度和复合中心。 对于多晶硅和其它低质量的硅片（如硅带），因为体内具有大量的空位、缺陷和晶界等，沉积SiN膜后能获得很好的表面和体内钝化效果。因此，SiN膜在低质量硅片制作的电池上的钝化效果更为明显。 PECVD工艺 钝化太阳电池的体内 在SiN减反射膜中存在大量的H，在烧结过程中会钝化晶体内部悬挂键。 PECVD工艺 硅基光伏电池有不同的光谱响应灵敏度，能够产生光伏效应的太阳辐射波长范围一般在0.4-1.2um左右，从图中可以看出硅基光伏电池光谱响应最大灵敏度在0.8-0.95um之间。 硅基光伏电池的相对光谱响应曲线 PECVD工艺 一次反射R1 SiN N-Si n0 n1 ns 二次反射R2 通过调整薄膜厚度及折射率，使得两次反射产生相消干涉，反射光相位相差180度即光程差为1/2波长。薄膜的厚度应该是1/4波长的光程，即光程差n1d1=λ/4。 d1 空气或玻璃 n0=1 or 1.5； 硅 n2=3.87； SiN减反膜的最佳折射率n1为 1.9或2.3； 一般说来,采用PECVD 技术制备薄膜材料时，薄膜的生长主要包含以下三个基本过程： （一）在非平衡等离子体中，电子与反应气体发生初级反应，使得反应气体发生分解，形成离子和活性基团的混合物； （二）各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散输运，同时发生各反应物之间的次级反应； （三）到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并与表面发生反应，同时伴随有气相分子物的再放出。 PECVD工艺 （一） 在辉光放电条件下，由于硅烷等离子体中的电子具有几个ev 以上的能量，因此H2和SiH4受电子的碰撞会发生分解，此类反应属于初级反应。若不考虑分解时的中间激发态，可以得到如下一些生成SiHm（m=0,1,2,3）与原子H 的离解反应： PECVD工艺 按照基态分子的标准生产热计算，上述各离解过程(2.1)~(2.5)所需的能量依