第2章双极型晶体管与基本放大电路.pptVIP

第2章 双极型晶体三极管 和基本放大电路;思考：2-1 2-16 习题：2-4 2-7 2-8 2-10 2-12 2-14 2-17 2-19 2-24 2-25 ;本章的重点与难点;本章的重点与难点;2.1.1 双极型晶体三极管的结构及类型;;PNP型晶体三极管;１. 两个PN结无外加电压;1）发射区向基区注入电子;发射极电流: IE= IEN+ IEP≈ IEN 。 （多子形成的扩散电流） ;2）电子在基区的扩散与复合; 发射区的电子大部分通过基区往集电区（c区）扩散。（集电结电压反向，增强了少子的漂移，基区的少子是电子）; 由于集电结反偏，所以有少子形成的漂移电流ICBO。;晶体管的电流分配关系; 发射区发射的总电子数，绝大部分被集电区收集，极少部分在基区与空穴复合。; 可以看出，通过稍稍改变电流I?Ｂ，就可以使ICN有很大的变化，如此实现了电流控制和电流放大作用。;（2)实现电流控制的条件;４.共射接法中的电流关系; 晶体管工作在放大状态的外部条件是： ;1.共射接法晶体管的输入特性曲线;IB = 常数;晶体管的三个工作区－截止区;晶体管的三个工作区－放大区;晶体管的三个工作区