CMOS+RF线性混频器的设计.pdfVIP

摘要 摘要 近年来，随着无线通信技术的不断发展，人类己基本实现随时随地通信的梦想。 相应地，人类对高性能大容量无线通信系统的需求也越来越大。在这种形势下， 射频与通信集成电路的研究成为当前的研究热点。与此同时，在市场竞争日趋激 烈的推动下，通讯系统对射频集成电路(Radio Frequency Integrated Circuits)不断提 出低成本、低功耗、多功能的要求，射频集成电路的技术优化会沿着和数字IC 一 样的发展道路，最终选择CMOS 技术来实现RFIC ；目前，各种无线通信标准并存， 但市场份额最大的还是GSM 系统。因此，基于GSM 标准和硅COMS 技术的RFIC 电路的研究和设计具有重要的现实意义。 首先，针对RF 电路含有大量无源元件的特点，特别是Si CMOS 工艺条件下的 片上集成电感，不但占用大量的芯片面积，而且寄生效应影响显著，其品质因数 远低于分立元件电感，而集成电感的品质特性极大地左右了电路的性能。因此， 高品质片上集成电感是RF 电路集成的难点所在。论文提出了一种表征集成电感衬 底涡流损耗的解析模型，进而简化了传统电感集总参数模型。 仿真验证表明