第03教材资料章-cmos集成电路工艺流程.pptVIP

第三章CMOS集成电路工艺流程 白雪飞 中国科学技术大学电子科学与技术系 多晶硅栅CMOS工艺流程 可用器件 工艺扩展 提纲 2 多晶硅栅CMOS工艺流程 初始材料 重掺杂P型(100)衬底硅，P+ 减小衬底电阻，提高抗CMOS闩锁效应能力 外延生长 在衬底上生长一层轻掺杂P型外延层，P- 厚度5~10um 可以比CZ硅更精确的控制外延层的电学特性，从而更好的控制器件参数 衬底材料 4 N阱扩散 热氧化 N阱掩模板光刻氧化层 磷离子注入 高温推进，同时形成缓冲氧化层 N阱工艺 能够提供性能稍好的NMOS晶体管，并允许衬底接地 N阱扩散 5 反型槽工艺 淀积氮化硅 反型槽掩模板光刻氮化硅 刻蚀场区氮化硅 反型槽 6 沟道终止注入 7 LOCOS氧化 刻蚀去除氮化硅 去除缓冲氧化层 生长虚拟氧化层 LOCOS工艺和虚拟栅氧化 8 阈值调整 硼注入调整阈值电压 剥除虚拟栅氧化层 栅氧化层 干氧法 氧化过程很短，栅氧化层很薄 阈值调整和栅氧化层生长 9 本征多晶硅淀积 多晶硅掩模光刻、多晶硅层刻蚀 多晶硅重掺杂磷（淀积、注入） 多晶硅淀积和光刻 10 NSD/PSD掩模板光刻 通过暴露的栅氧化注入杂质 多晶硅栅作为源/漏自对准注入的掩模板 去除光刻胶 短暂退火，激活注入杂质 源/漏注入 11 接触 淀积多层氧化物 (MLO) 接触掩模光刻、刻蚀接触孔区域 重掺杂区域可以形成欧姆接触 金属